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    成膜方法及び成膜装置
    3.
    发明申请
    成膜方法及び成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023276795A1

    公开(公告)日：2023-01-05

    申请号：PCT/JP2022/024786

    申请日：2022-06-21

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 布瀬　暁志

    IPC: H01L21/32 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C23C16/04 ,  H01L21/285 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

    Abstract: 成膜方法は、下記（Ａ）～（Ｄ）を含む。（Ａ）第１膜が露出する第１領域と、前記第１膜とは異なる材料で形成される第２膜が露出する第２領域とを表面に有する基板を準備する。（Ｂ）前記基板の前記表面に対して有機化合物を供給し、前記第１領域と前記第２領域の両方に有機膜を形成する。（Ｃ）前記第１領域と前記第２領域のうち前記第１領域から選択的に前記有機膜を除去する。（Ｄ）前記第２領域に残る前記有機膜を用い、前記第１領域と前記第２領域のうち前記第１領域に選択的に第１対象膜を形成する。

    積層体、積層体の製造方法、及びパターン形成方法
    4.
    发明申请
    積層体、積層体の製造方法、及びパターン形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023276578A1

    公开(公告)日：2023-01-05

    申请号：PCT/JP2022/022906

    申请日：2022-06-07

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 林　久美子 ,  丸山　仁

    IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31

    Abstract: 本発明は、半導体基板と、前記半導体基板上に感光性樹脂層が形成されてなる積層体であって、前記感光性樹脂層がシリコーン骨格含有樹脂又はアクリル樹脂を含有するものであり、前記半導体基板が片側に段差面を有し、前記段差面の凹部がプリウエット溶剤で満たされ、その上に前記感光性樹脂層が形成されているものであることを特徴とする積層体である。これにより、シリコーン骨格含有樹脂又はアクリル樹脂を含む感光性組成物を用いて、段差基板の段差面の凹部が前記樹脂で十分に埋め込まれており、平坦な感光性樹脂皮膜を与えることのできる積層体、材料ロスが少ない前記積層体の製造方法及び前記積層体を用いたパターン形成方法が提供される。

    半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体基板を有する電子機器
    6.
    发明申请
    半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体基板を有する電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022185997A1

    公开(公告)日：2022-09-09

    申请号：PCT/JP2022/007189

    申请日：2022-02-22

    Applicant: ソニーグループ株式会社

    Inventor： 竹内　幸一

    IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146

    Abstract: 貫通孔の開口部の、空気の膨張によるレジストの発泡を防止でき、後工程であるメッキ不良を低減する半導体基板、半導体基板の製造方法及び当該半導体基板を有する電子機器を提供する。　本開示に係る半導体基板は、順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極、若しくは順テーパ状に形成され、かつ開口部の断面を曲線状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部との境界に形成された段差と、を備えた貫通電極、又は順テーパ状に形成された上段孔部と、逆テーパ状に形成された下段孔部と、上段孔部と下段孔部に形成された境界と、を備えた貫通電極のいずれかをシリコン又は層間膜に形成するよう構成した。

    薬液耐性保護膜
    7.
    发明申请
    薬液耐性保護膜 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022054853A1

    公开(公告)日：2022-03-17

    申请号：PCT/JP2021/033084

    申请日：2021-09-09

    Applicant: 日産化学株式会社

    Inventor： 西田　登喜雄 ,  遠藤　勇樹

    IPC: C08G59/40 ,  C09D163/04 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/312

    Abstract: 半導体基板加工時にウエットエッチング液に対する良好なマスク（保護）機能、低ドライエッチング速度を有し、さらに段差基板に対しても被覆性及び埋め込み性が良好で、埋め込み後の膜厚差が小さく、平坦な膜を形成し得る保護膜形成組成物及び該組成物を用いて製造した保護膜、レジスト下層膜、レジストパターン付き基板及び半導体装置の製造方法を提供する。（Ａ）下記式（１－１）で表される単位構造を有する重合体： （式（１－１）中、Ａｒはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、Ｒ１はヒドロキシ基、メチル基で保護されていてもよいメルカプト基、メチル基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲノ基又は、ヘテロ原子で置換若しくは中断されていてもよくヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基を表し、ｎ１は０～３の整数を表し、Ｌ１は単結合又は炭素原子数１～１０のアルキレン基を表し、Ｅはエポキシ基を表し、Ｔ１はｎ２＝１のとき、単結合又は、エーテル結合、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキレン基を表し、Ｔ１はｎ２＝２のとき、窒素原子又はアミド結合を表す）、 （Ｂ）カテコール以外のフェノール性ヒドロキシ基を有する化合物又は重合体、 （Ｃ）熱酸発生剤、及び （Ｄ）溶剤を含む、半導体用ウエットエッチング液に対する保護膜形成組成物、である。

    垂直相分離したブロックコポリマー層
    8.
    发明申请
    垂直相分離したブロックコポリマー層 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021241594A1

    公开(公告)日：2021-12-02

    申请号：PCT/JP2021/019852

    申请日：2021-05-25

    Applicant: 日産化学株式会社

    Inventor： 水落　龍太 ,  田村　護 ,  中島　誠 ,  坂本　力丸

    IPC: C08J7/00 ,  B32B27/30 ,  C08L25/00 ,  C08L53/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

    Abstract: 大気圧下での加熱では困難である、ブロックコポリマーのミクロ相分離構造を基板に対して垂直に誘起させた、ブロックコポリマーを含む層、その製造方法、並びに垂直相分離したブロックコポリマー層を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。　大気圧未満の圧力で誘導自己組織化が起こり得る温度で加熱して形成した、垂直相分離したブロックコポリマー層である。前記垂直相分離が、シリンダー形状部分を含むことが好ましい。上記シリンダー形状部分がＰＭＭＡを含むことが好ましい。上記加熱温度が、２７０℃以上であることが好ましい。上記ブロックコポリマー層の下に、該ブロックコポリマー表面エネルギーの中性化層をさらに有することが好ましい。

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