表裏面を貫通する第１の電極（１８）を有する絶縁基板（１１）と、絶縁基板（１１）の一方面側に形成された第２の電極（１３）と、第１の電極（１８）と第２の電極（１３）との間に挟持され、第１の電極（１８）および第２の電極（１３）間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層（１２）とを備え、絶縁基板（１１）は、有機誘電体薄膜（１１２）と、有機誘電体薄膜（１１２）よりも厚みが小さい無機誘電体層（１１１）との積層構造を備えており、無機誘電体層（１１１）が形成された側に記録層（１２）が形成されている不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、省電力化を図りつつ、データの書き換え可能回数を増大することができる。