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公开(公告)号:WO2003050872A1
公开(公告)日:2003-06-19
申请号:PCT/JP2002/012691
申请日:2002-12-04
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 田中 英行 , 大塚 隆 , 森田 清之 , 森本 廉
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: A nonvolatile memory (1) comprising an insulation substrate (11) having first electrodes (15) penetrating through front and back faces, second electrodes (12) formed on one face of the insulation substrate (11), and recording layers (14) sandwiched by the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and changing a resistance value by impressing an electric pulse between the first electrodes (15) and the second electrodes (12) and keeping the first electrodes (15) electrically connected to the recording layers (14)in a region constituting a single memory cell (MC). This nonvolatile memory (1) enables a reduction in power consumption to provide a high degree of design freedom and a high reliability.
Abstract translation: 一种非易失性存储器(1),包括具有穿过前后表面的第一电极(15)的绝缘基板(11),形成在所述绝缘基板(11)的一个面上的第二电极(12)和夹在所述绝缘基板 通过第一电极(15)和第二电极(12),并且通过在第一电极(15)和第二电极(12)之间施加电脉冲来改变电阻值,并且保持第一电极(15)电连接到 记录层(14)在构成单个存储单元(MC)的区域中。 该非易失性存储器(1)能够降低功耗以提供高度的设计自由度和高可靠性。
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2.
公开(公告)号:WO2003054652A1
公开(公告)日:2003-07-03
申请号:PCT/JP2002/013276
申请日:2002-12-19
IPC: G05F3/24
Abstract: A potential generating circuit comprising a capacitor (4); a ferroelectric capacitor (6) series connected to the capacitor (4); an output terminal (11); a capacitor (10) for grounding the output terminal (11); a switch (9) for connecting the output terminal (11) to a connection node (5) of the two capacitors (4,6); and a switch (1) for grounding the connection node (5); wherein during a first time period, the switches (1,9) are in OFF state, and a positive potential is supplied to a terminal (3), while a terminal (7) is grounded; during a second time period following the first time period, the terminal (3) is grounded, and the switch (9) is in ON state; during a third time period following the second time period, the switch (9) is in OFF state, while the switch (1) is in ON state, and a positive potential is supplied to the terminal (7); during a fourth time period following the third time period, the terminal (7) is grounded; and wherein the first through fourth time periods are repeated.
Abstract translation: 一种包括电容器(4)的电位发生电路; 连接到电容器(4)的铁电电容器(6); 输出端子(11); 用于使输出端子(11)接地的电容器(10); 用于将输出端子(11)连接到两个电容器(4,6)的连接节点(5)的开关(9); 和用于使连接节点(5)接地的开关(1); 其中在第一时间段期间,所述开关(1,9)处于断开状态,并且在端子(7)接地的同时将正电位提供给端子(3) 在第一时间段之后的第二时间段期间,终端(3)接地,并且开关(9)处于接通状态; 在第二时间段之后的第三时间段期间,开关(9)处于断开状态,而开关(1)处于导通状态,正电位被提供给端子(7)。 在第三时间段之后的第四时间段期间,终端(7)接地; 并且其中重复第一至第四时间段。
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公开(公告)号:WO2004059838A1
公开(公告)日:2004-07-15
申请号:PCT/JP2003/015958
申请日:2003-12-12
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 豊田 健治 , 大塚 隆 , 森本 廉
IPC: H03K3/356
CPC classification number: G11C11/22 , H03K17/693
Abstract: 本発明に係る不揮発性ラッチ回路10は、第1の電極1a、第2の電極1b、及びこれら電極間に介在する強誘電体膜1cを有する強誘電体キャパシタ1と、第1の電極1aに接続されるリセット端子Treと、強誘電体キャパシタ1の第2の電極1bに接続されるCMOSインバータ素子2と、第2の電極1bに電圧を印加する電圧切り換え用端子Tplと、第2の電極1bと第2の入力端子Tplとの間に接続され、第2の電極1bに印加される電圧を切り換えるスイッチング素子5と、このスイッチング素子5にオン・オフを切り換えるための電圧を印加するセット端子Tseとを備えており、強誘電体膜1cに残留する分極によって第2の電極1bに生じる電圧が、CMOSインバータ素子2のNMISFET4のしきい値電圧Vtnよりも高くなるように構成されている。
Abstract translation: 非易失性锁存电路(10)包括具有第一电极(1a),第二电极(1b)和插入在这些电极之间的铁电体膜(1c)的铁电电容器(1),复位端子(Tre)连接到 第一电极(1a),连接到第二电极(1b)的CMOS反相器(2),用于向第二电极(1b)施加电压的电压切换端子(Tpl);连接在第二电极 用于切换施加到第二电极(1b)的电压的第二电极(1b)和第二输入端子(Tpl)以及用于向切换装置(5)施加开/关切换电压的设定端子(Tse)。 非易失性锁存电路(10)被设计成通过剩余在铁电体膜(1c)中的极化施加到第二电极(1b)的电压高于NMISFET(4)的阈值电压(Vtn) CMOS反相器(2)。
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公开(公告)号:WO2003065487A1
公开(公告)日:2003-08-07
申请号:PCT/JP2003/000618
申请日:2003-01-23
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 森本 廉 , 森田 清之
IPC: H01M8/02
CPC classification number: H01L23/58 , H01L27/0688 , H01L2924/0002 , H01M4/8605 , H01M8/02 , H01M8/0258 , H01M8/1007 , H01M8/241 , Y02P70/56 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor device having a fuel cell and a semiconductor element. The fuel cell is provided with an anode separator in which a fuel passage is formed, a cathode separator in which an oxidizing agent passage is formed, and a membrane electrode assembly held between the anode and cathode separators. The semiconductor element is provided on one major surface of a separator selected from the anode and cathode separators. The semiconductor element and the selected separator are electrically connected. The semiconductor device having such a fuel cell can be one having a fuel cell which is compact and excellent in versatility.
Abstract translation: 一种具有燃料电池和半导体元件的半导体器件。 燃料电池设置有形成燃料通道的阳极分离器,形成氧化剂通道的阴极分离器和保持在阳极和阴极分离器之间的膜电极组件。 半导体元件设置在选自阳极和阴极分离器的分离器的一个主表面上。 半导体元件和选择的隔板电连接。 具有这种燃料电池的半导体装置可以是具有紧凑且多功能性优异的燃料电池的半导体装置。
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5.
公开(公告)号:WO2004038919A1
公开(公告)日:2004-05-06
申请号:PCT/JP2003/011227
申请日:2003-09-03
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 豊田 健治 , 上田 路人 , 森本 廉 , 森田 清之
IPC: H03K19/00
CPC classification number: G11C11/4087 , G11C11/22 , G11C11/4074
Abstract: キャパシタ(4)、キャパシタ(4)に直列接続された強誘電体キャパシタ(6)、出力端子(11)、出力端子(11)を接地するキャパシタ(10)、電源電圧供給端子(13)、電源電圧供給端子(13)と2つのキャパシタ(4,6)の接続ノード(N1)とを接続するスイッチ(1)、及び接続ノード(N1)と出力端子(11)とを接続するスイッチ(9)を備え、第1の期間において、スイッチ(1)及び(9)がオフ状態にされた状態で、端子(3)が接地されると共に端子(7)に電源電圧が供給され、第2の期間において、端子(3)に電源電圧が供給され、且つスイッチ(9)がオン状態にされ、第3の期間において、スイッチ(9)がオフ状態にされ、スイッチ(1)がオン状態にされ、且つ端子(7)が接地され、第4の期間において、端子(7)に電源線圧が供給され、前記第1の期間から前記第4の期間までが順に繰り返される、電圧発生回路。
Abstract translation: 一种电压产生电路,包括电容器(4),串联连接到电容器(4)的铁电电容器(6),输出端子(11),用于使输出端子(11)接地的电容器(10) 电源电压端子(13),用于将电源电压供给端子(13)与两个电容器(4,6)的连接节点(N1)连接的开关(1)和用于连接 连接节点(N1)与输出端子(11)连接,其中在第一时段期间,端子(3)接地,并且向开关(1)和(9)提供端子(7)的电源电压 )关闭时,在第二时间段期间向端子(3)供给电源电压并且开关(9)导通,开关(9)关闭,开关(1)导通, 端子(7)在第三周期内接地,在第四周期期间向端子(7)提供电源电压,并且第一至第四周期是顺序的 重复。
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公开(公告)号:WO2003085740A1
公开(公告)日:2003-10-16
申请号:PCT/JP2003/004066
申请日:2003-03-31
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 田中 英行 , 森本 廉
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B9/149 , G11C11/22 , H01L27/101 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 表裏面を貫通する第1の電極(18)を有する絶縁基板(11)と、絶縁基板(11)の一方面側に形成された第2の電極(13)と、第1の電極(18)と第2の電極(13)との間に挟持され、第1の電極(18)および第2の電極(13)間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層(12)とを備え、絶縁基板(11)は、有機誘電体薄膜(112)と、有機誘電体薄膜(112)よりも厚みが小さい無機誘電体層(111)との積層構造を備えており、無機誘電体層(111)が形成された側に記録層(12)が形成されている不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、省電力化を図りつつ、データの書き換え可能回数を増大することができる。
Abstract translation: 非易失性存储器包括:绝缘基板(11),其具有穿过前表面和后表面的第一电极(18);形成在绝缘基板(11)的一个表面上的第二电极(13)和记录层 12)夹在第一电极(18)和第二电极(13)之间,并且当在第一电极(18)和第二电极(13)之间施加电脉冲时改变其电阻值。 绝缘基板(11)具有由有机电介质薄膜(112)和厚度小于有机介电薄膜(112)的无机介电层(111)构成的层叠结构。 记录层(12)形成在无机介电层(111)形成的一侧。 该非易失性存储器使能省电并增加数据被重写的次数。
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公开(公告)号:WO2004114315A1
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:PCT/JP2004/009253
申请日:2004-06-24
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 森本 廉
Inventor: 森本 廉
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: ゲート及び基板が接続された電界効果トランジスタ(1)と相変化材料を用いた抵抗変化素子(2)とを備えたメモリセルが2次元アレイ状に配列された、不揮発性メモリを駆動する方法であって、所定のワード線(WL i )及びビット線(BL j )の間に、電界効果トランジスタ(1)のソース及び基板間のpn接合の順方向立ち上がり電圧よりも大きい電圧が印加されるように、ワード線(WL i )、ビット線(BL j )及び電圧供給部(VA)の各々に所定の電圧を印加した後、ワード線(WL i )への印加電圧を急峻に又は緩やかに初期電圧に戻し、該当する抵抗変化素子(2)を高抵抗又は低抵抗にすることによって、データを消去又は記録し、電界効果トランジスタ(1)をオンさせ、該当する抵抗変化素子(2)の抵抗値を検知することによって、データを読み出す。
Abstract translation: 一种用于驱动非易失性存储器的方法,其中每个包括具有连接到衬底的栅极的场效应晶体管(1)和还包括由相变材料制成的电阻变化元件(2)的存储单元被布置成二维 阵列。 为了使施加在预定字线(WLi)和预定位线(BLj)之间的电压大于场效应晶体管(1)的源极与衬底之间的pn结的正向上升电压, 预定电压被施加到字线(WLi),位线(BLi)和电压提供部分(VA)中的相应字线。 此后,使施加到字线(WLi)的电压快速或逐渐地恢复到其初始值,并且使相应的电阻变化元件(2)呈现高电阻或低电阻,从而擦除或记录数据。 然后,场效应晶体管(1)导通,确定相应的电阻变化元件(2)的电阻值,从而读取数据。
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公开(公告)号:WO2004008535A1
公开(公告)日:2004-01-22
申请号:PCT/JP2003/008349
申请日:2003-07-01
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 森本 廉 , 田中 英行 , 大塚 隆 , 宮本 明人
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , H01L27/0814 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 第1の電極(11)および第2の電極(12)と、前記第1の電極(11)と第2の電極(12)との間に挟持され、前記第1の電極(11)および第2の電極(12)間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する相変化記録体(14)とを備え、前記第1の電極(11)および第2の電極(12)の少なくとも一方が、ルテニウム、ロジウム又はオスミウムの少なくとも1種類以上を主成分として含んでおり、前記相変化記録体(14)は、カルコゲン元素を含む相変化材料からなる不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、通電による特性劣化(すなわち、電極と相変化記録体との不純物相互拡散)を抑制して、耐久性および信頼性を高めることができる。
Abstract translation: 一种非易失性存储器,包括插入在第一和第二电极(11,12)之间的第一和第二电极(11,12)和相变记录体(14),并且当电脉冲施加在第一和第二电极 第二电极(11,12),其中第一和第二电极(11,12)中的至少一个包含至少一种钌,铑和锇作为主要成分,并且相变记录体(14) 由含有硫属元素的相变材料制成。 由于当前的应用,非易失性存储器没有特征劣化(即,电极和相变记录体之间的杂质的相互扩散),从而提高了耐久性和可靠性。
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9.
公开(公告)号:WO2003085511A1
公开(公告)日:2003-10-16
申请号:PCT/JP2003/004266
申请日:2003-04-03
IPC: G06F3/16
CPC classification number: G06F3/16
Abstract: 複数のクライアントマシンが通信可能に接続され、このクライアントマシンに音声情報を送信し、送信した音声情報を再生させるサーバであって、複数の話者の話し声からなる会話を構成する一の話者の話し声を内容とする話声音声情報を複数格納する記憶手段と、複数の話声音声情報の再生タイミングを決定するタイミング決定手段と、タイミング決定手段で決定した再生タイミングで再生するように、クライアントマシン毎に対応する前記話声音声情報を送信する送信手段とを有する。
Abstract translation: 以可通信的方式连接多个客户端机器的服务器,用于向客户端机器发送语音信息并允许它们再现语音信息。 服务器包括存储装置,其中多组对话语音信息,每组对话语音信息构成由多个说话者讲话组成的会话,并且其中每一个包括一个扬声器的语音; 时间确定装置,确定要再现多组会话语音信息的定时; 以及发送装置,其将会话语音信息发送到相应的客户机,以便在由定时确定装置确定的再现时刻再现会话语音信息。
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公开(公告)号:WO2003084393A1
公开(公告)日:2003-10-16
申请号:PCT/JP2003/004386
申请日:2003-04-07
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 加藤 真 , 山田 由佳 , 森本 廉 , 九津見 洋
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61J7/0481 , A61B5/0002 , A61B5/145 , A61B5/14532 , A61B5/14539 , A61B5/14546 , A61B5/411 , A61B5/4806 , A61B5/4809 , A61B5/4839 , A61J7/0427 , A61M5/30 , G06F19/00 , G06F19/3456 , G06Q10/10 , G06Q50/22 , G06Q50/24 , G16H10/40 , G16H10/60 , G16H15/00
Abstract: 被検査対象者(1)の体液を採取する採取手段(3a)と、採取された体液を分析する分析手段(3b)と、分析して得られた分析データを診断手段(6)へ伝送する伝送手段(4)と、伝送された分析データから被検査対象者の健康状態を診断する診断手段と、分析データ及び/又は診断結果を保存蓄積するサーバ(7a)と、診断結果等を受信して表示する健康管理情報表示装置(10)とを備える。
Abstract translation: 健康管理系统包括用于对象(1)的幽默抽样的抽样装置(3a),用于分析抽样幽默的分析装置(3b),用于将通过分析产生的分析数据发送到诊断装置(6)的发送装置 ),用于基于所发送的分析数据检查对象的健康状况的诊断装置,用于存储分析数据和/或诊断结果的服务器(7a)和用于接收的健康管理信息显示单元(10) 并显示诊断结果等。
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