Invention Application
WO2004112141A1 ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路、その半導体集積回路及びダイレクトコンバージョン受信機
审中-公开
直接转换接收的频率转换电路，其半导体集成电路和直接转换接收器
- Patent Title: ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路、その半導体集積回路及びダイレクトコンバージョン受信機
- Patent Title (English): Frequency converting circuit of direct conversion reception, semiconductor integrated circuit thereof, and direct conversion receiver
- Patent Title (中): 直接转换接收的频率转换电路，其半导体集成电路和直接转换接收器
-
Application No.: PCT/JP2004/008216Application Date: 2004-06-11
-
Publication No.: WO2004112141A1Publication Date: 2004-12-23
- Inventor: 大見 忠弘 , 西牟田 武史 , 宮城 弘 , 須川 成利 , 寺本 章伸
- Applicant: 株式会社豊田自動織機 , 新潟精密株式会社 , 大見 忠弘 , 西牟田 武史 , 宮城 弘 , 須川 成利 , 寺本 章伸
- Applicant Address: 〒4488671 愛知県刈谷市豊田町2丁目1番地 Aichi JP
- Assignee: 株式会社豊田自動織機,新潟精密株式会社,大見 忠弘,西牟田 武史,宮城 弘,須川 成利,寺本 章伸
- Current Assignee: 株式会社豊田自動織機,新潟精密株式会社,大見 忠弘,西牟田 武史,宮城 弘,須川 成利,寺本 章伸
- Current Assignee Address: 〒4488671 愛知県刈谷市豊田町２丁目１番地 Aichi JP
- Agency: 大菅 義之
- Priority: JP2003-168530 20030612; JP2003-183609 20030626
- Main IPC: H01L27/092
- IPC: H01L27/092
Abstract:
シリコン基板上に高さＨ B で、幅がＷ B の直方体状の突出部２１を形成し、突出部２１の頂面及び側壁面の一部にゲート酸化膜を形成する。ゲート電極２６の両側にソースとドレインを形成してＭＯＳトランジスタを形成する。このＭＯＳトランジスタで周波数変換回路及びダイレクトコンバージョンの受信回路を構成する。これにより、ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路におけるＩ信号とＱ信号の誤差を減らす。
Information query
IPC分类:
