发明申请
- 专利标题： HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE DIODE, UND ZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN
- 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR COMPONENT, ESPECIALLY A DIODE, AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
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申请号： PCT/EP2005/051117申请日： 2005-03-11
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公开(公告)号： WO2005088729A3公开(公告)日： 2005-09-22
- 发明人: MITLEHNER, Heinz , STEPHANI, Dietrich
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , MITLEHNER, Heinz , STEPHANI, Dietrich
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2, 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,MITLEHNER, Heinz,STEPHANI, Dietrich
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,MITLEHNER, Heinz,STEPHANI, Dietrich
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2, 80333 München DE
- 代理机构： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 优先权： DE10 20040311
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861
摘要：
Dioden mit Avalanche-Verhalten sind bekannt. Gemäss der Erfin- dung sind insbesondere zur Realisierung einer pn-Diode in ei- ner dünnen Schicht unter der p-Anode (2) gebietsweise Berei- che (12 ik , i=1-m, k=1-n) vorhanden, in denen die Konzentrati- 10 on der n-Dotierung über der Konzentration der n-Dotierung der epitaktischen Schicht (11) liegt. Zur Herstellung eines sol- chen Bauelementes werden Epitaxie- und/oder Implantationsme- thoden angewandt.
IPC分类:
