本発明は、基体表面に所定の膜厚の第一の金属元素を含む金属酸化物層を形成し、この第一の金属酸化物層に第二の金属のイオンを含む溶液を反応させ、第一および第二の金属元素を含む複合酸化物膜を形成することにより得られる、複雑で大掛かりな設備を用いずに膜厚が任意に制御されうる高い比誘電率の複合酸化物膜及びその製造方法に関する。さらに、この複合酸化物膜を含む誘電材料および圧電材料、さらにこの材料を含むコンデンサ、圧電素子並びにこれらの素子を含む電子機器を提供する。