【課題】　有害物質を極力低減させるとともに、極力結晶粒を微細化して成膜時の膜厚分布を均一にし、さらにＳｉ基板との密着性を劣化させない、半導体メモリーのキャパシタ用電極材形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該Ｒｕ合金ターゲットをスパッタリングして得られた高純度Ｒｕ合金スパッタ膜を提供する。 【解決手段】　Ｒｕ以外の白金族元素の含有量が１５～２００ｗｔｐｐｍであり、残部Ｒｕ及び不可避的不純物からなることを特徴とする高純度Ｒｕ合金ターゲット。純度９９．９％以上のＲｕ粉とＲｕ以外の白金族元素の粉を混合した後にプレス成型して成形体を得、これを電子ビーム溶解してインゴットとし、このインゴットを鍛造加工してターゲットとすることを特徴とするＲｕ以外の白金族元素の含有量が１５～２００ｗｔｐｐｍであり、残部Ｒｕ及び不可避的不純物からなる高純度Ｒｕ合金ターゲットの製造方法。