Invention Application
- Patent Title: 基板処理方法および基板処理装置
- Patent Title (English): Substrate processing method and substrate processing apparatus
- Patent Title (中): 基板加工方法和基板加工装置
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Application No.: PCT/JP2007/062624Application Date: 2007-06-22
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Publication No.: WO2008001697A1Publication Date: 2008-01-03
- Inventor: 田中 崇 , 原 謙一 , 岩下 光秋
- Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 田中 崇 , 原 謙一 , 岩下 光秋
- Applicant Address: 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo JP
- Assignee: 東京エレクトロン株式会社,田中 崇,原 謙一,岩下 光秋
- Current Assignee: 東京エレクトロン株式会社,田中 崇,原 謙一,岩下 光秋
- Current Assignee Address: 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目３番６号 Tokyo JP
- Agency: 高山 宏志
- Priority: JP2006-174745 20060626; JP2006-194758 20060714
- Main IPC: C23C18/16
- IPC: C23C18/16 ; C23C18/31 ; H01L21/288 ; H01L21/304 ; H01L21/3205 ; H01L23/52
Abstract:
基板であるウエハＷに設けられたＣｕ配線にＣｏＷＢを含む無電解めっきを施すめっき工程と、めっき工程後のウエハＷを洗浄液で洗浄する後洗浄工程と、前記めっき工程と前記後洗浄工程とを複数回繰り返す工程とにより、Ｃｕ配線にキャップメタルとしてＣｏＷＢ膜を形成する。
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IPC分类:
