セラミックス基板と金属板とを活性金属ろう材層を介して接合したセラミックス－金属接合体において、周期律表で規定する８族元素から選択された少なくとも１種の遷移金属が上記活性金属ろう材層中に含有されていることを特徴とするセラミックス－金属接合体である。上記構成によれば、セラミックス－金属接合体をパワーモジュールに供した場合においても、高い接合強度および優れた耐熱サイクル特性を共に備え、耐久性および信頼性に優れたセラミックス－金属接合体およびそれを用いた半導体装置を提供できる。