公开(公告)号：WO2013008919A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/JP2012/067956

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  星野 政則 ,  佐藤 英樹 ,  小森田 裕 ,  中山 憲隆 ,  那波 隆之

Inventor： 星野　政則 ,  佐藤　英樹 ,  小森田　裕 ,  中山　憲隆 ,  那波　隆之

IPC: C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  C04B38/0054

Abstract: 　本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナＡｌ ２ Ｏ ３ を９４～９８質量％、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を２～６質量％含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素ＳｉＯ ２ に換算した質量で前記アルミナ基板１００質量％中に０．０１～１．５質量％含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が１５μｍ以下であり、ボイド平均径が１０μｍ以下であり、ビッカース硬度が１３００以上である。

Abstract translation: 一种陶瓷电路板，其具有粘附在氧化铝基板上的金属电路板，其中所述氧化铝基板包含94-98质量％的氧化铝（Al 2 O 3）和2-6质量％的由烧结助剂衍生的组分 烧结助剂衍生成分为含有硅的无机氧化物，烧结助剂衍生成分中的二氧化硅（SiO 2）的硅每100质量％的氧化铝基质含有0.01〜1.5质量％的硅， 氧化铝基板的最大空隙尺寸不大于15μm，平均空隙尺寸不大于10μm，维氏硬度至少为1300。

公开(公告)号：WO2008004552A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：PCT/JP2007/063307

申请日：2007-07-03

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  那波 隆之 ,  小松 通泰 ,  中山 憲隆 ,  加藤 寛正

Inventor： 那波 隆之 ,  小松 通泰 ,  中山 憲隆 ,  加藤 寛正

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/19 ,  B23K35/30 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/708 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12778 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  H01L2924/00

Abstract: 　セラミックス基板と金属板とを活性金属ろう材層を介して接合したセラミックス－金属接合体において、周期律表で規定する８族元素から選択された少なくとも１種の遷移金属が上記活性金属ろう材層中に含有されていることを特徴とするセラミックス－金属接合体である。上記構成によれば、セラミックス－金属接合体をパワーモジュールに供した場合においても、高い接合強度および優れた耐熱サイクル特性を共に備え、耐久性および信頼性に優れたセラミックス－金属接合体およびそれを用いた半導体装置を提供できる。

Abstract translation: 提供一种陶瓷 - 金属接合体，其中陶瓷基体和金属板与活性金属焊接层接合。 陶瓷 - 金属粘结体的特征在于，在活性金属焊接层中含有选自元素周期表规定的VIII族元素中的至少一种过渡金属。 因此，即使在将陶瓷 - 金属接合体用于电力模块的情况下，即使具有高结合强度和优异的耐热循环特性的高耐用性和可靠性的陶瓷 - 金属接合体，以及使用该接合体的半导体装置 。

公开(公告)号：WO2013094213A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/JP2012/008178

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社 東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  矢野 圭一 ,  加藤 寛正 ,  宮下 公哉 ,  那波 隆之

Inventor： 矢野　圭一 ,  加藤　寛正 ,  宮下　公哉 ,  那波　隆之

IPC: H01L23/12 ,  C04B37/02 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H05K1/02 ,  H05K1/09

CPC classification number: H05K1/09 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  C04B2237/88 ,  H01L23/3735 ,  H01L29/1608 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/098 ,  H05K2201/09827 ,  Y10T428/24488 ,  H01L2924/00

Abstract: 　実施形態のセラミックス銅回路基板１は、セラミックス基板２と、活性金属元素を含む接合層を介してセラミックス基板２の両面に接合された第１および第２の銅板とを具備する。第１および第２の銅板の端部の断面において、銅板とセラミックス基板との接合端から銅板の上面内側方向に向けて界面と４５°となる方向に引いた直線ＡＢより銅板の外側方向に向けてはみ出す断面の面積Ｃの、直線ＡＢを斜辺とする直角三角形に相当する断面の面積Ｄに対する割合（Ｃ／Ｄ）が０．２以上０．６以下の範囲である。第１および第２の銅板の上面端部にはそれぞれＲ部が設けられており、かつＲ部の第１および第２の銅板の上方から見た長さＦが１００μｍ以下である。

Abstract translation: 该陶瓷铜电路板（1）配备有陶瓷基板（2），并且通过插入含有活性金属元素的接合层，将第一和第二铜片接合到陶瓷基板（2）的两面。 在第一和第二铜片的端部的横截面中，从铜线上向外伸出的横截面积（C）与从其中拉出的线（AB）的比例（C / D） 方向相对于从铜板的接合端到陶瓷基板的向内侧方向到铜板的上表面的界面，相对于直角三角形的截面的区域（D）为45度， 作为斜边的线（AB）在0.2到0.6的范围内。 第一铜片和第二铜片的上表面的端部分别具有圆形部分，从第一和第二铜片上方观察到的圆形部分的长度（F）为100μm或更小。

公开(公告)号：WO2007000963A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：PCT/JP2006/312702

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社 東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  那波 隆之 ,  小松 通泰 ,  白井 隆雄 ,  中山 憲隆 ,  岡本 光弘

Inventor： 那波 隆之 ,  小松 通泰 ,  白井 隆雄 ,  中山 憲隆 ,  岡本 光弘

IPC: C04B35/622 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: C04B35/622 ,  C04B33/32 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/4878 ,  H01L23/13 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/183 ,  H05K3/0044 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/025 ,  H01L2924/00

Abstract: 　段差３を有するセラミックス基板１を製造するにあたって、セラミックスグリーンシートを焼成して得た焼成基板の表面にホーニング加工を施して段差３を形成する。また、セラミックスグリーンシートへの加工やセラミックスグリーンシートの積層等により段差を形成した後、セラミックスグリーンシートを焼成して段差３を要する焼成基板（セラミックス基板）１を作製する。

Abstract translation: 在制造具有水平裂缝（3）的陶瓷基板（1）的制造中，将通过烧制陶瓷生片所得到的烧制基板的表面进行磨削，从而形成水平分割（3）。 或者，首先通过陶瓷生片的加工，陶瓷生片的层叠等来形成水平分割，然后烧成陶瓷生片，从而得到具有水平分割（3）的烧结基板（陶瓷基板）（1） 。

公开(公告)号：WO2013015355A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/068957

申请日：2012-07-26

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  那波 隆之 ,  佐藤 英樹 ,  星野 政則 ,  小森田 裕

Inventor： 那波　隆之 ,  佐藤　英樹 ,  星野　政則 ,  小森田　裕

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/15 ,  H05K3/20 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  F27B9/243 ,  H01L21/4871 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/202 ,  H01L2924/00

Abstract: 　酸化物系セラミックス基板上に銅板を配置して積層体を形成する工程と、得られた積層体を加熱する工程とにより、酸化物系セラミックス基板と銅板とを一体に接合する酸化物系セラミックス回路基板の接合方法において、上記加熱する工程は、１０６５～１０８５℃の間に加熱温度の極大値を有する第一加熱領域で積層体を加熱する工程と、次に１０００～１０５０℃の間に加熱温度の極小値を有する第二加熱領域で積層体を加熱する工程と、さらに１０６５～１１２０℃の間に加熱温度の極大値を有する第三加熱領域で積層体を加熱して接合体を形成する工程とを有し、その後接合体を冷却領域で冷却することを特徴とする。上記構成によれば、耐熱サイクル（ＴＣＴ）特性が優れた酸化物系セラミックス回路基板が得られる。

Abstract translation: 氧化物陶瓷电路板的这种接合方法包括通过在氧化物陶瓷电路板上布置铜板并通过在氧化物陶瓷电路板上布置铜板来形成层压体的步骤，将氧化物陶瓷电路板和铜板接合到单个主体中， 其特征在于，上述加热步骤包括在最高加热温度为1065-1085℃的第一加热区域中加热层压体的步骤，在具有第一加热区域的第二加热区域中随后加热层压体的步骤 最低加热温度在1000-1050℃之间，以及通过在具有最高加热温度在1065-1120℃之间的第三加热区域中加热层压体，然后在冷却区域中冷却组件来进一步形成组件的步骤。 通过上述配置，具有优异的热循环试验（TCT）特性的氧化物陶瓷电路板。

公开(公告)号：WO2013008920A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/JP2012/067957

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  星野 政則 ,  中山 憲隆 ,  那波 隆之 ,  佐藤 英樹 ,  小森田 裕

Inventor： 星野　政則 ,  中山　憲隆 ,  那波　隆之 ,  佐藤　英樹 ,  小森田　裕

IPC: H01L23/15 ,  C04B35/111 ,  C04B37/02

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B35/638 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/59 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C04B38/0054

Abstract: 　本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナＡｌ ２ Ｏ ３ を９９．５質量％以上、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を０．５質量％未満含み、前記焼結助剤由来成分はナトリウムを含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のナトリウムは酸化ナトリウムＮａ ２ Ｏに換算した質量で前記アルミナ基板１００質量％中に０．００１～０．１質量％含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が１２μｍ以下であり、ボイド平均径が１０μｍ以下であり、ビッカース硬度が１５００以上である。

Abstract translation: 一种陶瓷电路板，其具有连接到氧化铝基板上的金属电路板，其中所述氧化铝基板包含至少99.5质量％的氧化铝（Al 2 O 3）和小于0.5质量％的由烧结助剂衍生的组分 烧结助剂衍生成分为含有钠的无机氧化物，烧结助剂衍生成分中的钠（Na 2 O）为100质量％，氧化铝基质的含量为0.001-0.1质量％ 并且氧化铝基板的最大空隙尺寸不大于12μm，平均空隙尺寸不大于10μm，维氏硬度至少为1500。

公开(公告)号：WO2011010597A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：PCT/JP2010/061976

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  那波 隆之

Inventor： 那波　隆之

IPC: H01L23/15 ,  C04B35/584 ,  H01L23/12 ,  H01L23/40

CPC classification number: H01L23/15 ,  C04B35/584 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4853 ,  C04B41/4961 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/515 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/5161 ,  C04B41/83 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5063 ,  H01L2924/00

Abstract: 　β－窒化珪素結晶粒子を主相とするシート状の窒化珪素基板と、この窒化珪素基板の表面の片面または表裏両面に形成され、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｓｒ、Ｃｅ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｔａ、ＶおよびＴｉより選ばれる元素を少なくとも１種含む金属、または樹脂からなる表面層と、を備える窒化珪素製絶縁シート。この窒化珪素製絶縁シートを用いた半導体モジュール構造体。

Abstract translation: 公开了一种氮化硅绝缘片，其包括以氮化硅晶粒为主相的片状氮化硅衬底和形成在氮化硅衬底的一个表面或前表面和后表面上的表面层 由含有选自In，Sn，Al，Ag，Au，Cu，Ni，Pb，Pd，Sr，Ce，Fe，Nb，Ta，V和Ti中的至少一种元素的树脂或金属形成。 还公开了使用氮化硅绝缘片的半导体模块结构。

公开(公告)号：WO2006067986A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：PCT/JP2005/022759

申请日：2005-12-12

Applicant: 株式会社 東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  広納 慎介 ,  那波 隆之 ,  岡村 正巳

Inventor： 広納 慎介 ,  那波 隆之 ,  岡村 正巳

IPC: H01L35/08 ,  H01L35/14 ,  H01L35/30 ,  H02N11/00

CPC classification number: H01L35/08

Abstract: 　熱電変換モジュール１０は、第１および第２の電極部材１３、１４と、これら電極部材１３、１４間に配置される熱電素子１１、１２とを具備する。熱電素子１１、１２はハーフホイスラー材料からなり、かつ第１および第２の電極部材１３、１４に対して接合部１７を介して電気的および機械的に接続されている。接合部１７は、主成分としてＡｇ、ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種と、１質量％以上１０質量％以下の範囲のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、ＶおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種の活性金属とを含有する接合材を有する。

Abstract translation: 公开了一种包括第一和第二电极构件（13,14）和布置在电极构件（13,14）之间的热电装置（11,12）的热电转换模块（10）。 热电装置（11,12）由半赫斯勒（Half-Heusler）材料制成，并且经由接合部件（17）电连接和机械地连接到第一和第二电极部件（13,14）。 接合部分（17）包含主要包含选自Ag，Cu和Ni中的至少一种物质并且还含有选自Ti，Zr，Hf，Ta，V和Nb中的至少一种活性金属的结合材料，其量为1 -10质量％。

公开(公告)号：WO2004113013A1

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：PCT/JP2004/008888

申请日：2004-06-24

Applicant: 株式会社 東芝 ,  ロン タン トロン ,  久里 裕二 ,  梶原 淳志 ,  那波 隆之

Inventor： ロン タン トロン ,  久里 裕二 ,  梶原 淳志 ,  那波 隆之

IPC: B23K35/22

CPC classification number: H05K3/3484 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/10992

Abstract: 　第１部材１０とこの第１部材１０とは異種特性材料からなる第２部材１１とが、低融点金属元素または低融点合金からなる第１はんだ１２および凝固膨張の性質を有する金属元素または合金からなる第２はんだ１３からなるはんだ部材１４によって接合されている。また、第２はんだ１３の表面は、境界層または境界被膜として機能する反応防止膜１５で覆われている。これによって、第１はんだ１２と第２はんだ１３のそれぞれの固有な特性を維持し、はんだ部材１４の性能を最大限に発揮することができる。

Abstract translation: 由与第一构件（10）的材料的特性不同的材料形成的第一构件（10）和第二构件（11）通过由第一焊料形成的焊料构件（14）彼此焊接 12）由低熔点金属元素或低熔点合金制成，第二焊料（13）由金属元素或具有凝固和膨胀性质的合金制成。 第二焊料（13）的表面由用作边界层或边界膜的防反射膜（15）覆盖。 因此，通过保持对第一焊料（12）和第二焊料（13）的特定特性，可以使焊料部件（14）的性能最大化。