Invention Application
WO2008101738A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT GRABENKONDENSATOR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
审中-公开
随着对沟槽式电容器和方法功率半导体装置及其
- Patent Title: HALBLEITERANORDNUNG MIT GRABENKONDENSATOR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
- Patent Title (English): Semiconductor arrangement with trench capacitor and method for production thereof
- Patent Title (中): 随着对沟槽式电容器和方法功率半导体装置及其
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Application No.: PCT/EP2008/001619Application Date: 2008-02-20
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Publication No.: WO2008101738A1Publication Date: 2008-08-28
- Inventor: MARENCO, Norman
- Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , MARENCO, Norman
- Applicant Address: Hansastr. 27c 80686 München DE
- Assignee: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,MARENCO, Norman
- Current Assignee: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,MARENCO, Norman
- Current Assignee Address: Hansastr. 27c 80686 München DE
- Agency: PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR
- Priority: DE10 20070220
- Main IPC: H01L21/334
- IPC: H01L21/334 ; H01L27/06 ; H01L29/94
Abstract:
Die Erfindung beschreibt eine Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben, wobei die HaIbleiteranordnung mit einer auf einem Substrat (1) angeordneten integrierten Schaltung (2) versehen ist, wobei die integrierte Schaltung (2) auf der Vorderseite des Substrats strukturiert ist und mindestens ein Kondensator (20) mit der integrierten Schaltung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kondensator auf der Rückseite des Substrats (1) als monolithische Tiefenstruktur in Gräben (3) ausgebildet ist. Die Gräben sind in mindestens einer ersten Gruppe und in mindestens einer zweiten Gruppe angeordnet, wobei die Gräben je einer Gruppe im Wesentlichen zueinander parallel laufen und die erste und zweite Gruppe zueinander quer, im Wesentlichen senkrecht stehen.
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IPC分类:
