公开(公告)号：WO2012140156A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2012/056709

申请日：2012-04-12

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

Inventor： MARENCO, Norman

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03552 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82931 ,  H01L2224/82939 ,  H01L2224/82947 ,  H01L2224/82948 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung für ein gehäustes Funktionselement, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines mit einer Ausnehmung (10-2) versehenen Kunststoffsubstrats (10c), wobei in der Ausnehmung (10-2) des Kunststoffsubstrats (10c) das Funktionselement (12) platziert ist; und zumindest teilweises Umgeben des in der Ausnehmung (10-2) platzierten Funktionselements mit einem Vergusskunststoffmaterial (10d), um das in dem Kunststoffkörper zumindest teilweise eingebettete Funktionselement (12) zu erhalten, wobei in dem auf- oder eingebrachten Vergusskunststoffmaterial zumindest in einem Randbereich, der sich von der Oberfläche des Kunststoffkörpers (10) bis zu der zumindest einen Kontaktfläche (14, 16) erstreckt, ferner eine unter Einfluss elektromagnetischer Strahlung eine metallische Eigenschaft annehmende Materialkomponente vorhanden ist; Freilegen von zumindest einem Teilbereich der zumindest einen Kontaktfläche durch das Material des Kunststoffkörpers (10) hindurch; und Erzeugen einer Leiterbahnstruktur (26, 28), die sich von der zumindest einen Kontaktfläche des Funktionselements (12) zu einem zugeordneten Kontaktbereich (26-1) an der Oberfläche (10-1) des Kunststoffkörpers (10) erstreckt, durch lokales elektromagnetisches Bestrahlen der Oberfläche des mit der Materialkomponente versehenen Kunststoffkörpers im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstruktur (26, 28).

Abstract translation: 本申请涉及一种用于制造用于包装的功能元件的电接触，其包括以下步骤：提供一种提供有凹部（10-2）塑料衬底（10C），其中，在塑料基材（10C）的凹部（10-2），该 功能元件（12）被放置; 并在位于功能元件与Vergusskunststoffmaterial（10D）的凹部（10-2）至少部分地围绕所述接收所述至少部分地嵌入在塑料体中功能元件（12），其中，在所述边缘区域中的至少施用或引入Vergusskunststoffmaterial 从塑料体（10）的表面延伸到所述至少一个接触表面（14，16），还包括一个金属属性接受材料部件是电磁辐射的影响下存在; 暴露至少穿过塑料体（10）穿过其中的材料中的所述至少一个接触区域的部分; 以及生成从所述功能元件（12）的至少一个接触表面延伸到塑料体（10）的表面（10-1）上的相关联的接触区域（26-1）的印刷导体结构（26，28），通过本地电磁辐射 设置有原料成分的塑料体的表面是在产生的印制导线结构（26，28）的范围内。

公开(公告)号：WO2010102985A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：PCT/EP2010/052923

申请日：2010-03-08

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

Inventor： MARENCO, Norman

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Waferstapels mit einer Vielzahl von mikrooptoelektronischen Bauelementen (100 - 400; 700) beschrieben, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen (1110) eines ersten Wafers, der ein Halbleitermaterial aufweist; Bereitstellen (1120) eines zweiten Wafers, der ein optisch transparentes Material aufweist; Erzeugen (1130) einer Vielzahl von Lichtsensoranordnungen (4A - 4C) in dem Halbleitermaterial (3a) des ersten Wafers (3) für jedes der herzustellenden mikrooptischen Bauelemente (100 - 400; 700); Strukturieren (1140) des zweiten Wafers (2) derart, dass darin für jedes der herzustellenden mikrooptoelektronischen Bauelemente eine Vielzahl von mikrooptischen Elementen (1A - 1C; 1A' - 1C) gebildet ist; und Erzeugen (1150) eines Waferstapels (100 - 400; 700) mittels Waf erbonding, der den ersten Wafer (3, 3') und den darüber angeordneten zweiten Wafer (2) aufweist, wobei jedes der mikrooptischen Elemente derart angeordnet und optisch strukturiert ist, dass unterschiedliche Anteile (9A - 9C, 10A - 10C) des auf das mikrooptische Element einfallenden Lichts auf unterschiedliche Lichtsensorelemente (4a - 4e) einer unter diesem mikrooptischen Element zumindest teilweise angeordneten Lichtsensoranordnung (4A - 4C) gelenkt werden; und Vereinzeln (1190) des Waferstapels, um die Vielzahl von mikrooptoelektronischen Bauelementen (100 - 400; 700) zu erzeugen.

Abstract translation: （100-400; 700）制造具有多个微光电器件的晶片叠层的方法所描述的，其包括以下步骤：提供（1110）的第一包含半导体材料晶片; 提供（1120）的第二晶片，其包括光学透明材料; 生成（1130）多个光传感器布置（4A - 4C）的第一晶片（3）为每个所制造的微光学器件的半导体材料（3a）中（100 - 400; 700）; 所述第二晶片的结构（1140）（2），使得在其中每个所产生的微光电元件，多个微光学元件的（1A - 1C - 1C 1A“）形成; 以及生成（1150）的晶片堆叠（100-400; 700）erbonding装置WAF具有，所述第一晶片（3，3“）和上覆的第二晶片（2），其中，每个微光学元件的布置和光学结构是 光入射到微光学元件的光不同的光感测元件（ - 4E 4A） - 的（10C 9A - - 9C，10A），其不同部分被导向该微光学元件至少部分地布置光传感器装置（4C 4A）中的一个; 和晶片堆叠（1190）分离，以形成所述多个微光电器件（100-400; 700），以生成。

公开(公告)号：WO2008061554A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/EP2006/011515

申请日：2006-11-24

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

Inventor： MARENCO, Norman

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/12 ,  H05K3/326 ,  H05K3/386 ,  H05K2201/091 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0278 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: Die Erfindung betrifft eine elektronische, insbesondere mikroelektronische, Funktionsgruppe und ein Verfahren zu deren Herstellung. Das erfindungsgemäße Verfahren enthält die Schritte: a) Beschichten eines Trägers (5a) mit einem nicht leitenden Klebstoffs (4a); b) Aufbringen einer Leiterstruktur (3) auf einen Teilbereich der Klebstoffschicht (4a); c) Anordnen eines elektronischen Bauteils (1) mit zumindest einen außen liegenden elektrischen Anschlusskontakt (2) auf der Klebstoffschicht (4a) und auf der Leiterstruktur (3), wobei der mindestens eine Anschlusskontakt (2) des elektronischen Bauteils (1) mit der Leiterstruktur (3) unmittelbar in Kontakt gebracht wird und ein Teil der Außenhülle des Bauteils (1) mit der Klebstoffschicht (4a) unmittelbar in Kontakt gebracht wird. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt eine schonende, schnelle und insbesondere kostengünstige Herstellung von elektronischen, insbesondere mikroelektronischen, Funktionsgruppen.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子的，尤其是微电子，官能团和它们的制备的方法。 本发明的方法包括以下步骤：a）涂覆的支撑件（5A）与非导电性粘接剂（图4a）; b）在该粘接剂层（4a）的一部分上的导体结构（3）的应用; c）将电子部件（1）与粘合层（图4a上的至少一个外部电连接触点（2））和在导体结构（3），其中，所述至少一个连接触点（2）的电子元件（1）连接到导体结构 （3）直接接触，并与粘合层（4a）的直接接触的部件（1）的外壳的一部分带来的。 本发明的方法允许温和，快速，特别具有成本效益的生产电子，特别是微电子，官能团。

公开(公告)号：WO2005106230A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/EP2005/051567

申请日：2005-04-08

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  FALTER, Johann ,  FISCH, Alfons ,  KICK, Marco ,  MAIER, Thomas ,  SKOTZEK, Peter ,  MARENCO, Norman ,  FÖRSTER, Ralf

Inventor： FALTER, Johann ,  FISCH, Alfons ,  KICK, Marco ,  MAIER, Thomas ,  SKOTZEK, Peter ,  MARENCO, Norman ,  FÖRSTER, Ralf

IPC: F02D41/26

CPC classification number: F02D41/266 ,  B60R16/023 ,  B60W50/023 ,  F02D41/20 ,  F02D41/221 ,  F02D41/28 ,  F02D2041/2048 ,  F02D2041/2051 ,  F02D2041/2089 ,  F02D2200/503 ,  H02H3/202

Abstract: Bei einem Mikrocontroller (12) mit zugeordneten Endstufen (14-1, 14-2) zur Ansteuerung von Komponenten wird eine Betriebsspannung überwacht. Im Falle einer Überspannung wird die Endstufe (14-1, 14-2) abgeschaltet. Es sind zwei technologiebedingt in verschiedenen Betriebsspannungsbereichen arbeitende Spannungsüberwachungseinrichtungen (22, 24) vorgesehen, durch deren Kombination einerseits eine sehr präzise Abschaltungsschwelle und andererseits ein großer Bereich für die zu überwachende Betriebsspannung erreicht werden kann. Die Endstufe (14-1, 14-2) kann damit im Fehlerfall einer Überspannung zuverlässig abgeschaltet werden.

Abstract translation: 在微控制器（12）相关联的功率放大器（14-1,14-2），用于组件的控制被监视的工作电压。 在过压的情况下，输出级（14-1，14-2）被断开。 有两种技术的原因，在不同的工作电压范围的工作电压监视装置（22，24）被提供，一方面非常精确的切断阈值，并且在另一方面，为要被监控的运行电压大的区域，可使用它们的组合来实现。 因此，功率放大器（14-1，14-2）可以可靠地在过压的故障的情况下断开。

公开(公告)号：WO2005106229A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/EP2005/051294

申请日：2005-03-21

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  MARENCO, Norman

Inventor： MARENCO, Norman

IPC: F02D41/26

CPC classification number: F02D41/266 ,  F02D41/221 ,  F02D41/28

Abstract: Bei der Verwendung eines Mikrocontrollers (12) mit zugeordneten Endstufen zur Ansteuerung von Komponenten wird einer Endstufe (16) neben dem eigentlichen Steuersignal (S) auch ein digitales Freigabesignal (b, c, d) zugeführt, mittels welchem je nach Signalzustand eine Sperrung oder eine Freigabe der Endstufe (16) signalisiert wird. Im Falle eines Fehlers im Bereich des Mikrocontrollers (12) kann die Endstufe (16) damit abgeschaltet werden. Durch eine Modulation des Freigabesignals (b) und die Auswertung des zur Endstufe (16) hin geführten Freigabesignals (c) wird sichergestellt, dass ein Fehler im Bereich der Freigabesignalerzeugung und/oder Freigabesignalübertragung anhand des Ausbleibens der Modulation erkannt wird. Die Endstufe (16) kann damit im Fehlerfall sehr zuverlässig abgeschaltet werden.

Abstract translation: 在使用一个微控制器（12）的相关联的功率放大器来控制输出级的组件（16）旁边的实际控制信号（S）和一个数字使能信号（B，C，D）被供给，通过该装置，这取决于一个阻挡或一个的信号状态 输出级（16）的释放信号通知。 在微控制器（12）的区域中的故障的情况下，输出级（16），可以用它来关闭。 通过调制释放信号（b）和最后阶段（16）的评价背面输出使能信号（c）确保了在使能信号生成的区域中的故障和/或使能信号传输不存在调制的基础上检测。 因此，输出级（16），可通断上错误非常可靠的。

公开(公告)号：WO2013023750A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/EP2012/003332

申请日：2012-08-02

Applicant: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. ,  MARENCO, Norman ,  QUENZER, Hans-Joachim

Inventor： MARENCO, Norman ,  QUENZER, Hans-Joachim

IPC: C03B23/02

CPC classification number: C03B23/02 ,  C03B40/02 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zum Strukturieren eines aus glasartigem Material bestehenden Flächensubstrats im Wege eines viskosen Fliessprozesses, bei dem das glasartige Flächensubstrat auf eine Oberfläche eines Flächensubstrats, vorzugsweise eines Halbleiterflächensubstrats, das wenigstens eine von einem in der Oberfläche liegenden Umfangsrand begrenzte Vertiefung besitzt, gefügt und im Wege eines darauf folgenden Temperprozesses in einen viskos fliessfähigen Zustand überführt wird, bei dem zumindest Anteile des fliessfähigen glasartigen Materials des Flächensubstrat über den Umfangsrand in die Vertiefung des Flächensubstrats fliessen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass ein Flächensubstrat bereitgestellt wird, dessen wenigstens eine Vertiefung wenigstens eine Benetzungsfläche aufweist, die gegenüber der Oberfläche des Flächensubstrats abgesenkt ist und wenigstens teilweise von einem linienartigen Rand begrenzt ist, der zugleich ein Rand einer gegenüber der Benetzungsfläche abgesenkten innerhalb der Vertiefung vorgesehenen Grabenstruktur ist und/oder durch eine unstete Änderung einer der Benetzungsfläche zuordenbaren Benetzungseigenschaft für das fliessfähige glasartige Material bestimmt ist, dass während des Temperprozesses das fliesfähige glasartige Material mit der Benetzungsfläche derart in Kontakt gebracht wird, dass sich längs des linienartigen Randes eine Benetzungsfront ausbildet, und dass der Temperprozess unter Ausbildung einer sich zwischen der Benetzungsfront und dem Umfangsrand berührungslos zum Flächensubstrat erstreckenden Oberfläche des glasartigen Materials, die mit einem Teilbereich der Vertiefung eine Kavität einschliesst, beendet wird.

Abstract translation: 描述了一种用于图案化由其中优选为具有在基板的平面基底的表面上的玻璃表面，在半导体区域衬底至少从一个点在有限的表面周缘槽粘性流动过程的方法，包括玻璃材料的表面基板的基团，在一起并在处理 通过随后的退火工艺被转换成粘性的可流动状态，其中至少基材表面的可流动玻璃状材料的部分流动超过所述外周边缘在基板表面的凹部中。 本发明的特征在于，在平坦的基板，提供具有至少一个凹部包括被相对于所述表面基材的表面下降并且至少部分地由一个线状边缘，这也是降低的针对内的润湿表面的边缘限定的至少一个润湿表面 在润湿表面用于可流动玻璃质材料润湿性中的一个提供严重的结构和/或可识别的由不稳定的变化的凹部确定了退火可流动玻璃状材料与润湿表面在接触这样的方式接触，即沿着线状边缘延伸，润湿前期间 形式，并且所述回火处理，以形成润湿前部和周缘表面到玻璃状材料制成的基板表面之间的接触完全延伸，具有 所述凹部的部分包括一个空腔被终止。

公开(公告)号：WO2008101738A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：PCT/EP2008/001619

申请日：2008-02-20

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

Inventor： MARENCO, Norman

IPC: H01L21/334 ,  H01L27/06 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L27/0694 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: Die Erfindung beschreibt eine Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben, wobei die HaIbleiteranordnung mit einer auf einem Substrat (1) angeordneten integrierten Schaltung (2) versehen ist, wobei die integrierte Schaltung (2) auf der Vorderseite des Substrats strukturiert ist und mindestens ein Kondensator (20) mit der integrierten Schaltung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kondensator auf der Rückseite des Substrats (1) als monolithische Tiefenstruktur in Gräben (3) ausgebildet ist. Die Gräben sind in mindestens einer ersten Gruppe und in mindestens einer zweiten Gruppe angeordnet, wobei die Gräben je einer Gruppe im Wesentlichen zueinander parallel laufen und die erste und zweite Gruppe zueinander quer, im Wesentlichen senkrecht stehen.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中所述HaIbleiteranordnung布置有一（1）的集成电路被设置（2）的衬底，其中，所述集成电路（2）在所述基板的前侧的结构和至少一个电容器上（ 20）被连接到所述集成电路，其特征在于在衬底（1），深沟槽（3）的单片结构的背面的至少一个电容器形成。 沟槽被布置在至少第一组和至少第二组，其中每个组运行的槽基本上互相平行，并且基本上，相互在第一和第二组横向，垂直。

公开(公告)号：WO2005114234A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：PCT/EP2005/052134

申请日：2005-05-11

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  KICK, Marco ,  KOMANEK, Robert ,  MARENCO, Norman

Inventor： KICK, Marco ,  KOMANEK, Robert ,  MARENCO, Norman

IPC: G01R31/317

CPC classification number: G06F11/277 ,  G01R31/007 ,  G01R31/31707 ,  G01R31/31719

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Schaltungsanordnung zum Testen von Funktionen und/oder von Algorithmen, die in elektronischen Schaltungen, insbesondere in digitalen Schaltungen implementiert sind, bei dem eine zu testende Schaltung in gegenüber einem normalen Betriebsmodus weitestgehend unveränderter Gatterverschaltung mit vorgebbaren Eingangssignalen beaufschlagt und die von der Schaltung gelieferten Ausgangssignale mit vorgegebenen Sollwerten verglichen werden, und bei dem bei einer Abweichung eines Ausgangssignals von einem Sollwert ein Fehler erkannt wird. Bei dem Verfahren ist vorgesehen, dass die Schaltung nach Erkennen eines Fehlers in einen stabilen Zustand versetzt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法和对于在电子电路中实现，特别是在数字电路的测试功能和/或算法的电路装置，其特征在于，在相对于待测试施加到操作基本未变Gatterverschaltung的正常模式与预定的输入信号的电路，和 来自电路的输出信号提供与预定的希望值相比较，并且在其中检测到错误时从设定点的输出信号的偏差。 在该方法中规定，该电路被设置在稳定的状态，以检测错误。