半導体装置及びその製造方法

Invention Application

WO2008111188A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开

Title translation: 半导体器件及其制造方法

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Patent Title: 半導体装置及びその製造方法
Patent Title (English): Semiconductor device and process for producing the same
Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
Application No.: PCT/JP2007/055053

Application Date: 2007-03-14
Publication No.: WO2008111188A1

Publication Date: 2008-09-18
Inventor: 王文生
Applicant: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 , 王文生
Applicant Address: 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目7番1号 Tokyo JP
Assignee: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社,王文生
Current Assignee: 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社,王文生
Current Assignee Address: 〒1630722 東京都新宿区西新宿二丁目７番１号 Tokyo JP
Agency: 川上光治 et al.
Main IPC: H01L21/8246
IPC: H01L21/8246 ; H01L27/105

Abstract:

　半導体基板上に形成された強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、強誘電体キャパシタは、下部電極、強誘電体膜及び上部電極から構成され、その上部電極は、第１の導電性貴金属酸化物からなる第１導電膜と、前記第１導電膜の上に形成される金属窒化化合物からなる第２導電膜とを少なくとも含み、さらに、第１導電膜と第２導電膜の間に第２の導電性貴金属物からなる第３導電膜と貴金属からなる第４導電膜を挟んで構成される。

Abstract(Chinese):

一种半导体器件，包括半导体衬底并且叠加在其上的铁电电容器，其中所述铁电电容器由下电极，铁电体膜和上电极组成，并且其中所述上电极至少包括第一导电的第一导电膜贵金属氧化物，并且叠加有金属氮化物化合物的第二导电膜，并且其中在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间插入有第二导电贵金属氧化物的第三导电膜和高贵的第四导电膜金属。

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Global Dossier Patent Scope Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8246	.........只读存储器结构（ROM）