Invention Application
- Patent Title: 多層基板およびその製造方法
- Patent Title (English): Multilayer board and method for manufacturing the same
- Patent Title (中): 多层板及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2008/058267Application Date: 2008-04-30
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Publication No.: WO2008139934A1Publication Date: 2008-11-20
- Inventor: 三嶋 涼史 , 森本 勉 , 稲木 修 , 小泉 玄介 , 三浦 伸仁
- Applicant: 株式会社アイテス , 三嶋 涼史 , 森本 勉 , 稲木 修 , 小泉 玄介 , 三浦 伸仁
- Applicant Address: 〒5250025 滋賀県草津市西渋川一丁目1-14 Shiga JP
- Assignee: 株式会社アイテス,三嶋 涼史,森本 勉,稲木 修,小泉 玄介,三浦 伸仁
- Current Assignee: 株式会社アイテス,三嶋 涼史,森本 勉,稲木 修,小泉 玄介,三浦 伸仁
- Current Assignee Address: 〒5250025 滋賀県草津市西渋川一丁目1-14 Shiga JP
- Agency: 竹内 陽一
- Priority: JP2007-121987 20070503
- Main IPC: H05B33/02
- IPC: H05B33/02 ; H01L51/50 ; H05B33/10 ; H05B33/26
Abstract:
エッチング工程を使用せずに、低抵抗の埋め込み電極を形成し、低抵抗の埋め込み電極をITO透明電極に接触させて、ITO透明電極の配線抵抗を低減させるとともに、多層基板を通過する光を増大する機能を有する多層基板及び多層基板の製造方法を提供することを目的とする。第1基板と、第2基板と、埋め込み電極と、ITO透明電極と、を有する多層基板において、埋め込み電極の材料を導電性材料とし、第2基板を第1基板の上に積層し、埋め込み電極を第2基板に表面を露出する状態で埋め込み、ITO透明電極を埋め込み電極が埋め込まれた第2基板の上に積層し、埋め込み電極とITO透明電極とを電気的に接触させる。
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