公开(公告)号：WO2023084588A1

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：PCT/JP2021/041152

申请日：2021-11-09

申请人： シャープディスプレイテクノロジー株式会社

发明人： 兼弘　昌行

IPC分类号： H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

摘要： 発光デバイスは、バンク（３２）の開口部（３２ａ）における第３電極（３６）上に設けられた高屈折率材料層（３７）と、第３電極（３６）上に形成され、開口部（３２ａ）に対応して設けられた開口部（３８ａ）を有し、平面視で、開口部（３８ａ）を取り囲む周端部が、高屈折率材料層（３７）の周端部を覆う補助配線（３８）とを備えている。

公开(公告)号：WO2023078812A1

公开(公告)日：2023-05-11

申请号：PCT/EP2022/080317

申请日：2022-10-31

申请人： MERCK PATENT GMBH

发明人： PARHAM, Amir Hossain ,  EHRENREICH, Christian

IPC分类号： C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  H05B33/10

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft dicyano-substituierte Monoaza- oder Diazadibenzofuranderivate und dicyano-substituierte Monoaza- oder Diazadibenzothiophenderivate der Formel (I): wobei für die verwendeten Symbole und Indizes gilt: Ring A-| in Formel (1) entspricht der Formel (1A) Y ist bei jedem Auftreten unabhängig voneinander N, C oder CR+, wobei mindestens ein Y für N steht und mindestens zwei Y für C stehen, an denen die CN-Gruppe gebunden ist; stehen zwei Y für N, so sind diese durch mindestens eine Gruppe C-CN voneinander getrennt; V ist 0 oder S; sowie elektronische Vorrichtungen enthaltend diese Verbindungen, insbesondere organische Elektrolumineszenzvorrichtungen enthaltend diese Verbindungen als Triplettmatrixmaterialien, gegebenenfalls in Kombination mit einem weiteren Triplettmatrixmaterial und geeigneten phosphoreszierenden Emittern, geeignete Mischungen und Formulierungen.

公开(公告)号：WO2023074331A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/JP2022/037741

申请日：2022-10-07

申请人： 吉林ＯＬＥＤ日本研究所株式会社

发明人： 張　鵬 ,  古山　晃一

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H10K50/00

摘要： 蒸着装置（１）は、金属材料よりなる蒸着マスク（７）を保持するマスク保持部（２）と、基板（１１）が蒸着マスク（７）の上面と接するように、基板（１１）を配置する基板配置部（３）と、蒸着マスク（７）よりも下方に配置された蒸着源（４）及びコイル（５）と、コイル（５）に交流電流を通流する交流電源（ＰＵ１）と、交流電源（ＰＵ１）の動作を制御する制御部（ＣＰ１）と、を有する。制御部（ＣＰ１）は、交流電源（ＰＵ１）によりコイル（５）に交流電流を通流することでコイル（５）に交流磁界（ＭＦ１）を発生させ、交流磁界（ＭＦ１）を蒸着マスク（７）に印加することで蒸着マスク（７）内に渦電流を発生させ、蒸着マスク（７）を浮上させて基板（１１）に密着させるように、交流電源（ＰＵ１）の動作を制御する。

公开(公告)号：WO2023073491A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/IB2022/059908

申请日：2022-10-17

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山脇隼人 ,  川上祥子 ,  橋本直明 ,  青山絵梨子 ,  新倉泰裕

IPC分类号： H05B33/10 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

摘要： 紫外線が照射されたことにより生成したアントラセンの酸素付加体から酸素を除去する方法を提供する。または、信頼性の良好な電子デバイスまたは発光デバイスの作製方法を提供する。 酸素が存在する雰囲気において１ｍＪ／ｃｍ２以上、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下の紫外線を、アントラセン構造を含む有機化合物を有する層に照射する工程と、酸素濃度が３００ｐｐｍ以下の雰囲気において８０℃以上の加熱を行う工程を有する電子デバイスの作製方法を提供する。

公开(公告)号：WO2023073472A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/IB2022/059799

申请日：2022-10-13

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 楠紘慈 ,  瀬尾哲史 ,  山崎舜平

IPC分类号： H10K59/122 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K50/84 ,  H10K59/179 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

摘要： 高精細な表示装置を提供する。 絶縁表面上に第１の発光デバイスと第２の発光デバイスを有する。第１の発光デバイスが有する第１の画素電極の側面には第１の側壁絶縁層が接し、第２の発光デバイスが有する第２の画素電極の側面には第２の側壁絶縁層が接する。第１の発光デバイスは、第１の色変換層を介して第１の着色層と重なる。第１の発光デバイスと第２の発光デバイスは共通電極を共有する。第１の発光デバイスが有する第１の層と、第２の発光デバイスが有する第２の層と、絶縁層の上面に位置し、かつ、第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との間に位置する材料層と、は、いずれも同一の発光材料を有し、互いに離隔されている。

公开(公告)号：WO2023021371A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/IB2022/057396

申请日：2022-08-09

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 吉安唯 ,  竹田恭子 ,  高畑正利 ,  川上祥子 ,  鈴木恒徳 ,  佐々木俊毅 ,  橋本直明 ,  青山智哉

IPC分类号： H05B33/10 ,  C07D215/30 ,  C07D405/14 ,  C07D471/04 ,  H01L51/50

摘要： 有機半導体層上に酸化アルミニウム膜を接して形成する工程を有する有機半導体デバイスにおいて、耐熱性を向上する。 有機半導体層上に、下記一般式（Ｇ１）で表される有機半導体層のマスク用有機金属化合物を含む層を設けた後に加熱工程を行う。 （ただし、一般式（Ｇ１）において、Ａｒは置換または無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、又は置換または無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基、を表し、Ｘは酸素または硫黄を表し、Ｍは金属を表し、ｎは１乃至５の整数を表し、金属Ｍの価数とｎは同じである。なお、ｎが２以上の場合、複数のＡｒは同じであっても異なっていてもよく、Ｘは同じであっても異なっていてもよい。Ａｒが置換または無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基の場合、ヘテロアリール基のヘテロ原子と金属Ｍが配位結合していてもよい。）

公开(公告)号：WO2023017360A1

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：PCT/IB2022/057141

申请日：2022-08-02

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎舜平 ,  江口晋吾 ,  楠紘慈

IPC分类号： H05B33/12 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

摘要： 表示品位の高い表示装置を提供する。信頼性の高い表示装置を提供する。高精細化が容易な表示装置を提供する。 第１の画素電極、第１の発光層を有する第１の層、共通電極が順に積層された第１の発光デバイスと、第２の画素電極、第２の発光層を有する第２の層、共通電極が順に積層された第２の発光デバイスと、第３の画素電極、第３の発光層を有する第３の層、共通電極が順に積層された第３の発光デバイスと、を有し、第２の層は、第１の層と重畳する第１の領域と、第３の層と重畳する第２の領域と、を有し、第１の領域は、第１の層の上に位置し、第２の領域は、第３の層の下に位置し、第１の領域は、上面視において、第１の画素電極と第２の画素電極の間に位置し、第２の領域は、上面視において、第２の画素電極と第３の画素電極の間に位置する表示装置である。

公开(公告)号：WO2023013011A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/JP2021/029247

申请日：2021-08-06

申请人： シャープ株式会社

发明人： 浅岡　康 ,  安達　考洋 ,  矢口　裕真

IPC分类号： G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

摘要： 表示装置（２）は、発光層（１０）を備える。発光層は、所定の色に発光する発光領域（ＬＡＲ、ＬＡＧ、ＬＡＢ）と、発光領域と異なる領域であり、発光層の外縁を含む領域に形成される非発光領域（ＮＬＡ）と、を含む。非発光領域は、発光層の外縁に、発光領域を構成する主発光材料と異なる第１外縁材料を有する第１外縁領域（１６Ｒ）を含む。

公开(公告)号：WO2023012564A1

公开(公告)日：2023-02-09

申请号：PCT/IB2022/056779

申请日：2022-07-22

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  方堂涼太 ,  菅谷健太郎 ,  樋浦吉和 ,  藤江貴博 ,  神保安弘

IPC分类号： H05B33/22 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

摘要： 表示品位の高い表示装置を提供する。 画素電極、発光層、機能層、共通層、及び、共通電極をこの順で有する発光デバイスを複数有し、かつ、互いに隣り合う発光層の側面の間に位置する絶縁層を有する表示装置である。発光層及び機能層は、発光デバイスごとに島状に設けられ、共通層は複数の発光デバイスが共有して有する。共通層及び共通電極は、当該絶縁層を覆うように設けられる。断面視において、当該絶縁層の端部は、テーパ角が０度より大きく９０度未満のテーパ形状を有する。

公开(公告)号：WO2023002279A1

公开(公告)日：2023-01-26

申请号：PCT/IB2022/056031

申请日：2022-06-29

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 笹川慎也 ,  方堂涼太 ,  菅谷健太郎 ,  樋浦吉和 ,  藤江貴博 ,  川上祥子 ,  吉安唯 ,  久保田朋広

IPC分类号： H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

摘要： 表示品位の高い表示装置を提供する。 第１の発光デバイス、第２の発光デバイス、第１の絶縁層、及び、第２の絶縁層を有し、第１の発光デバイスは、第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２の発光層と、第２の発光層上の共通電極と、を有し、第１の絶縁層は、第１の発光層の上面の一部及び側面、並びに、第２の発光層の上面の一部及び側面を覆い、第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１の発光層の上面の一部及び側面、並びに、第２の発光層の上面の一部及び側面と重なり、共通電極は、第２の絶縁層を覆い、断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う、表示装置である。