ここに開示されるパターニング方法は、基板上に第１の膜を形成する工程と、第１の膜上にレジスト膜を含む多層膜を形成する工程と、レジスト膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、所定のパターンを有するパターン化レジスト膜を形成する工程と、有機シリコンを含む第１のガスと活性化された酸素種を含む第２のガスとを当該基板へ交互に供給して、パターン化レジスト膜および第１の膜の上に、第１の膜と異なる酸化シリコン膜を形成する工程と、パターン化レジスト膜の側壁に側壁スペーサが形成されるように酸化シリコン膜をエッチングする工程と、パターン化レジスト膜を除去する工程と、側壁スペーサをマスクとして用いて、第１の膜を加工する工程と、を備える。