公开(公告)号：WO2008149987A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/JP2008/060480

申请日：2008-06-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周 保華 ,  長谷部 一秀 ,  中島 滋 ,  赤坂 泰志 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二

Inventor： 周 保華 ,  長谷部 一秀 ,  中島 滋 ,  赤坂 泰志 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二

IPC: H01L21/3065 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

Abstract: 　開示されるパターニング方法においては、薄膜上に、この薄膜とは異なる膜からなり、かつ、ＳｉＢＮからなる犠牲膜を形成し、犠牲膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターンに加工し、加工された犠牲膜の側壁上に、犠牲膜及び薄膜とは異なる膜からなる側壁スペーサを形成し、加工された犠牲膜を除去し、側壁スペーサをマスクに用いて、薄膜を加工する。

Abstract translation: 在图案化方法中，在薄膜上形成由SiBN构成的与薄膜不同的牺牲膜，通过光刻技术，以规定的间隔对牺牲膜进行图案化。 接下来，在图案化牺牲膜的侧壁上形成由不同于牺牲膜的膜构成的侧壁间隔物，去除图案化牺牲膜，然后使用侧壁间隔物作为掩模来处理薄膜。

公开(公告)号：WO2008149989A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/JP2008/060483

申请日：2008-06-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  周 保華 ,  中島 滋 ,  長谷部 一秀 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二

Inventor： 周 保華 ,  中島 滋 ,  長谷部 一秀 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二

IPC: H01L21/3065 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31608

Abstract: 　ここに開示されるパターニング方法は、基板上に第１の膜を形成する工程と、第１の膜上にレジスト膜を含む多層膜を形成する工程と、レジスト膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、所定のパターンを有するパターン化レジスト膜を形成する工程と、有機シリコンを含む第１のガスと活性化された酸素種を含む第２のガスとを当該基板へ交互に供給して、パターン化レジスト膜および第１の膜の上に、第１の膜と異なる酸化シリコン膜を形成する工程と、パターン化レジスト膜の側壁に側壁スペーサが形成されるように酸化シリコン膜をエッチングする工程と、パターン化レジスト膜を除去する工程と、側壁スペーサをマスクとして用いて、第１の膜を加工する工程と、を備える。

Abstract translation: 图案化方法包括在基板上形成第一膜的步骤，用于在第一膜上形成包括抗蚀剂膜的多层膜的步骤，通过光刻图案化抗蚀剂膜以形成具有预定图案的图案化抗蚀剂膜的步骤 通过将含有有机硅和含有活性氧的第二气体的第一气体交替地供给到基板上，在图案化的抗蚀剂膜和第一膜上形成与第一膜不同的氧化硅膜的工序，蚀刻工序 氧化硅膜在图案化的抗蚀剂膜的侧壁上形成侧壁间隔物，去除图案化的抗蚀剂膜的步骤，以及通过使用侧壁间隔物作为掩模来处理第一膜的步骤。

公开(公告)号：WO2008149988A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/JP2008/060482

申请日：2008-06-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  中島 滋 ,  長谷部 一秀 ,  周 保華 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二

Inventor： 中島 滋 ,  長谷部 一秀 ,  周 保華 ,  岩下 光秋 ,  新納 礼二

IPC: H01L21/3065 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 　開示されるパターニング方法は、基板上に第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１レジスト膜を形成する工程と、第１レジスト膜をフォトリソグラフィにより所定のピッチを持つ第１レジストパターンに加工する工程と、有機シリコンを含む第１のガスと活性化された酸素種を含む第２のガスとを当該基板へ交互に供給して、第１レジストパターン及び第１の膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜上に第２レジスト膜を形成する工程と、第２レジスト膜をフォトリソグラフィにより所定のピッチを持つ第２レジストパターンに加工する工程と、第１レジストパターン及び第２レジストパターンをマスクに用いて、第１の膜を加工する工程と、を備える。

Abstract translation: 图案化方法包括在基板上形成第一膜的步骤，在第一膜上形成第一抗蚀剂膜的步骤，通过光刻将第一抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第一抗蚀剂图案的步骤，步骤 通过将含有有机硅的第一气体和含有活性氧的第二气体交替地供给到所述基板，在所述第一抗蚀剂图案和所述第一膜上形成氧化硅膜，在所述氧化硅上形成第二抗蚀剂膜的步骤 膜，通过光刻将第二抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第二抗蚀剂图案的步骤，以及通过使用第一和第二抗蚀剂图案作为掩模来处理第一膜的步骤。