アッシング装置

Invention Application

WO2009060769A1 アッシング装置审中-公开

Title translation: 爬坡系统

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Patent Title: アッシング装置
Patent Title (English): Ashing system
Patent Title (中): 爬坡系统
Application No.: PCT/JP2008/069681

Application Date: 2008-10-29
Publication No.: WO2009060769A1

Publication Date: 2009-05-14
Inventor: 植田昌久 , 栗本孝志 , 中村久三 , 鄒弘綱 , 余吾鋭哉 , 小松一茂 , 橘信介
Applicant: 株式会社アルバック , 植田昌久 , 栗本孝志 , 中村久三 , 鄒弘綱 , 余吾鋭哉 , 小松一茂 , 橘信介
Applicant Address: 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 Kanagawa JP
Assignee: 株式会社アルバック,植田昌久,栗本孝志,中村久三,鄒弘綱,余吾鋭哉,小松一茂,橘信介
Current Assignee: 株式会社アルバック,植田昌久,栗本孝志,中村久三,鄒弘綱,余吾鋭哉,小松一茂,橘信介
Current Assignee Address: 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園２５００番地 Kanagawa JP
Agency: 恩田博宣 et al.
Priority: JP2007-287341 20071105
Main IPC: H01L21/3065
IPC: H01L21/3065

Abstract:

　アッシングレートの経時変化を抑制するアッシング装置。露出金属を含む基板（Ｗ）上の有機材料を処理室（１１）内にてアッシングするアッシング装置は、処理室（１１）内に形成され、該処理室（１１）に供給された活性種が通過する経路を含む。この経路は、該経路を画定する面であって、活性種によって基板（Ｗ）から飛散する前記金属が付着し得る面（１１ａ；３１ａ；３３ａ；３３ｂ）に、前記金属と同一の金属が露出されるように形成されている。

Abstract(Chinese):

灰度系数随着时间的变化而被抑制。在处理室（11）中在包括暴露金属的基板（W）上进行有机材料灰化的灰化系统包括形成在处理室（11）中的通道，其中通过供给到处理室（11）的活性物质）经过。该通道形成为使得与通过活性物质从基板（W）散射的金属相同的金属暴露于限定通道的表面（11a; 31a; 33a; 33b），并且从基板（ W）坚持。

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Global Dossier Patent Scope Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀