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    基板処理装置の運転方法
    1.
    发明申请
    基板処理装置の運転方法 审中-公开
    操作基板加工设备的方法

    公开(公告)号：WO2011030721A1

    公开(公告)日：2011-03-17

    申请号：PCT/JP2010/065132

    申请日：2010-09-03

    Applicant: 株式会社アルバック ,  小風 豊 ,  植田 昌久 ,  吉田 善明

    Inventor： 小風　豊 ,  植田　昌久 ,  吉田　善明

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/32136

    Abstract: 安定してプラズマを生成させることにより、パーティクルの発生を抑制できる基板処理装置の運転方法を提供する。真空排気された真空槽内に基板を配置したのち、まず真空槽内に希ガスを供給し、プラズマ発生手段に電圧を印加して希ガスのプラズマを生成させる。次いで、真空槽内に反応ガスを供給して、反応ガスを希ガスのプラズマと接触させ、反応ガスのプラズマを生成させる。この反応ガスのプラズマを基板に接触させて、基板を処理する。プラズマ生成手段によって反応ガスをプラズマ化するのではなく、まず希ガスをプラズマ化することにより、安定してプラズマが生成され、パーティクルの発生が抑制される。

    Abstract translation: 公开了一种操作基板处理装置的方法，其中通过稳定地产生等离子体来抑制颗粒的产生。 在将基板设置在具有从其释放的空气的真空室中后，向真空室内供给稀有气体，然后向等离子体发生装置施加电压，产生稀有气体的等离子体。 然后，通过将反应气体供给到真空室的内部，使反应气体与稀有气体的等离子体接触，产生反应气体的等离子体。 使反应气体的等离子体与基板接触，并且处理基板。 通过等离子体发生装置，稀有气体首先进入等离子体状态，而不是反应气体，从而稳定地产生等离子体，并抑制颗粒的产生。

    プラズマ処理装置のドライクリーニング方法
    2.
    发明申请
    プラズマ処理装置のドライクリーニング方法 审中-公开
    干燥等离子体处理装置的方法

    公开(公告)号：WO2008149741A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：PCT/JP2008/059794

    申请日：2008-05-28

    Applicant: 株式会社アルバック ,  植田 昌久 ,  小風 豊 ,  遠藤 光広 ,  鄒 紅コウ

    Inventor： 植田 昌久 ,  小風 豊 ,  遠藤 光広 ,  鄒 紅コウ

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32862 ,  Y10S428/905

    Abstract: 　このプラズマ処理装置のドライクリーニング方法は、誘電体部材を備えた真空容器と；前記誘電体部材の外側に設けられた平面状電極及び高周波アンテナと；これら高周波アンテナ及び平面状電極のそれぞれに高周波電力を供給することにより、前記誘電体部材を介して前記真空容器内に高周波電力を導入して誘導結合プラズマを発生させる高周波電源と；を備えたプラズマ処理装置のドライクリーニング方法であって、前記真空容器内にフッ素を含むガスを導入すると共に、前記高周波電源により、前記真空容器内に高周波電力を導入して前記フッ素を含むガスに誘導結合プラズマを発生させる工程と；この誘導結合プラズマにより前記誘電体部材に付着した貴金属および強誘電体の少なくとも一方を含む生成物を除去する工程と；を含む。

    Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置的干洗方法。 等离子体处理装置设置有具有电介质构件的真空容器; 布置在电介质构件的外侧的平面电极和高频天线; 以及高频电源，其通过以高频功率供给高频天线和平面电极，通过电介质构件将高频电力引入真空室来产生电感耦合等离子体。 该方法包括将含氟气体引入真空室的步骤，并通过高频电源将高频电力引入真空室，使含氟气体产生感应耦合等离子体; 以及通过电感耦合等离子体除去附着在电介质构件上的至少含有贵金属或电介质材料的制品的工序。

    アッシング装置
    4.
    发明申请
    アッシング装置 审中-公开
    爬坡系统

    公开(公告)号：WO2009060769A1

    公开(公告)日：2009-05-14

    申请号：PCT/JP2008/069681

    申请日：2008-10-29

    Applicant: 株式会社 アルバック ,  植田 昌久 ,  栗本 孝志 ,  中村 久三 ,  鄒 弘綱 ,  余吾 鋭哉 ,  小松 一茂 ,  橘 信介

    Inventor： 植田 昌久 ,  栗本 孝志 ,  中村 久三 ,  鄒 弘綱 ,  余吾 鋭哉 ,  小松 一茂 ,  橘 信介

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

    Abstract: 　アッシングレートの経時変化を抑制するアッシング装置。露出金属を含む基板（Ｗ）上の有機材料を処理室（１１）内にてアッシングするアッシング装置は、処理室（１１）内に形成され、該処理室（１１）に供給された活性種が通過する経路を含む。この経路は、該経路を画定する面であって、活性種によって基板（Ｗ）から飛散する前記金属が付着し得る面（１１ａ；３１ａ；３３ａ；３３ｂ）に、前記金属と同一の金属が露出されるように形成されている。

    Abstract translation: 灰度系数随着时间的变化而被抑制。 在处理室（11）中在包括暴露金属的基板（W）上进行有机材料灰化的灰化系统包括形成在处理室（11）中的通道，其中通过供给到处理室（11）的活性物质 ） 经过。 该通道形成为使得与通过活性物质从基板（W）散射的金属相同的金属暴露于限定通道的表面（11a; 31a; 33a; 33b），并且从基板（ W）坚持。

    キャパシタンス素子製造方法、エッチング方法
    6.
    发明申请
    キャパシタンス素子製造方法、エッチング方法 审中-公开
    电容元件制造方法和蚀刻方法

    公开(公告)号：WO2006080276A1

    公开(公告)日：2006-08-03

    申请号：PCT/JP2006/300969

    申请日：2006-01-23

    Applicant: 株式会社アルバック ,  小風 豊 ,  植田 昌久 ,  遠藤 光広 ,  鄒 紅▲コウ▼

    Inventor： 小風 豊 ,  植田 昌久 ,  遠藤 光広 ,  鄒 紅▲コウ▼

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

    CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

    Abstract: 　微細化に適したエッチング技術を提供する。 　基板１０上に下部電極膜１２と誘電体膜１３と上部電極膜１４がこの順序で積層された処理対象物５上に無機質膜１５を形成し、その表面にパターニングした有機レジスト膜２０を配置し、無機質膜１５と上部電極膜１４と誘電体膜１３を有機レジスト膜２０をマスクとしてエッチングした後、下部電極膜１２をエッチングするガスで有機レジスト膜２０を除去すると共に露出された無機質膜１５をマスクとして下部電極膜１２をエッチングする。マスクとなる膜を形成し直さないので微細パターンを精度良く作れる。

    Abstract translation: 提供了适用于微型化的蚀刻技术。 通过在基板（10）上依次堆叠下电极膜（12），电介质膜（13）和上电极膜（14）来提供被处理物体（5）。 在被加工物上形成无机膜（15），在无机膜的表面配置图案化有机抗蚀剂膜（20）。 通过使用有机抗蚀剂膜（20）作为掩模来蚀刻无机膜（15），上电极膜（14）和电介质膜（13），然后使用 通过使用曝光的无机膜（15）作为掩模来蚀刻用于蚀刻下部电极膜（12）的气体和下部电极膜（12）。 由于不再次形成作为掩模的胶片，因此可以精确地提供精细图案。

    圧電素子の製造方法
    7.
    发明申请
    圧電素子の製造方法 审中-公开
    制造压电元件的方法

    公开(公告)号：WO2011016381A1

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：PCT/JP2010/062756

    申请日：2010-07-29

    Applicant: 株式会社アルバック ,  植田 昌久 ,  吉田 善明 ,  小風 豊

    Inventor： 植田　昌久 ,  吉田　善明 ,  小風　豊

    IPC: H01L41/22 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H02N2/00

    CPC classification number: H01L41/332

    Abstract: 　プラズマエッチングにより、強誘電体膜を良好な形状に加工する圧電素子の製造方法を提供する。基板上に下部電極層と強誘電体膜とがこの順に積層された処理対象物上に、酸素ガスでエッチングされにくい金属薄膜からなる金属マスクを配置する。酸素ガスと、化学構造中にフッ素を含む反応ガスとの混合ガスを含有するエッチングガスをプラズマ化し、金属マスクと処理対象物に接触させ、また処理対象物下の電極に交流電圧を印加して、プラズマ中のイオンを入射させ、強誘電体膜を異方性エッチングする。長時間のエッチングが可能であり、エッチングされた側面にエッチング生成物は付着せず、良好な形状の強誘電体膜を有する圧電素子が得られる。

    Abstract translation: 公开了一种通过等离子体蚀刻处理的具有适当形状的铁电体膜的压电元件的制造方法。 由不易被氧气蚀刻的金属薄膜形成的金属掩模被放置在包括下电极层和强电介质膜的被处理物体上。 在化学结构中包含氧气和含有氟的反应性气体的混合物的蚀刻气体被转化为等离子体，并与金属掩模和待处理物体接触。 将AC电压施加到设置在待处理物体下方的电极，使得等离子体中的离子进入物体。 由此，对铁电体膜进行各向异性蚀刻。 这允许长时间蚀刻，并且导致具有适当形状的铁电体膜的压电元件，而不蚀刻附着到蚀刻侧的产物。

    アッシング装置
    8.
    发明申请
    アッシング装置 审中-公开
    打磨装置

    公开(公告)号：WO2009022440A1

    公开(公告)日：2009-02-19

    申请号：PCT/JP2007/074980

    申请日：2007-12-26

    Applicant: 株式会社 アルバック ,  植田 昌久 ,  栗本 孝志 ,  石川 道夫 ,  鄒 紅コウ ,  余吾 鋭哉

    Inventor： 植田 昌久 ,  栗本 孝志 ,  石川 道夫 ,  鄒 紅コウ ,  余吾 鋭哉

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/3244

    Abstract: 　処理効率の低下を抑制するアッシング装置。シャワー板（３１）は、基板（Ｗ）を載置する基板ステージ（２０）と対向して設けられ、チャンバ（１１）内に供給された酸素ラジカルを拡散する。金属防止板（３４）は、シャワー板（３１）と基板ステージ（２０）との間に設けられ、酸素ラジカルが通過する貫通孔（４１）を有する。更に、金属防止板（３４）は、基板（Ｗ）と対向する面に、基板（Ｗ）に露出した金属と同じ金属で形成された第１の層（３４ｂ）を有する。

    Abstract translation: 公开了一种抑制加工效率降低的灰化装置。 具体而言，喷淋板（31）配置成面对放置有基板（W）的基板载台（20），并使供给到室（11）中的氧自由基扩散。 金属阻挡板（34）布置在喷淋板（31）和基板台（20）之间，并具有氧自由基通过的通孔（41）。 此外，金属阻挡板（34）具有在与衬底（W）相对的表面上由与衬底（W）中暴露的金属相同的金属制成的第一层（34b）。

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