ボンディング装置（１０）において、内部を不活性ガス雰囲気に保持するチャンバ（１２）と、チャンバ（１２）に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ（１２）内に置かれた基板（４１）と半導体チップ（４２）に照射してパッドと電極の表面処理を行う第１のプラズマトーチ（２０）と、チャンバ（１２）に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ（１２）内に位置するキャピラリ（１７）先端のイニシャルボール（１９）又はワイヤ（１８）に照射してイニシャルボール（１９）又はワイヤ（１８）の表面処理を行う第２のプラズマトーチ（３０）と、表面処理されたパッドと電極とに表面処理されたイニシャルボール（１９）、ワイヤ（１８）をチャンバ（１２）内でボンディングするボンディング処理部（１００）を備える。これによって、電極とパッド及びワイヤ双方の表面洗浄を効果的に行う。