Invention Application
WO2009096384A1 多結晶ＭｇＯ焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用ＭｇＯターゲット
审中-公开
多晶MgO烧结复合材料，生产多晶MgO烧结复合材料的方法，以及用于溅射的MgO靶材
- Patent Title: 多結晶ＭｇＯ焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用ＭｇＯターゲット
- Patent Title (English): POLYCRYSTALLINE MgO SINTERED COMPACT, PROCESS FOR PRODUCING THE POLYCRYSTALLINE MgO SINTERED COMPACT, AND MgO TARGET FOR SPUTTERING
- Patent Title (中): 多晶MgO烧结复合材料，生产多晶MgO烧结复合材料的方法，以及用于溅射的MgO靶材
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Application No.: PCT/JP2009/051259Application Date: 2009-01-27
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Publication No.: WO2009096384A1Publication Date: 2009-08-06
- Inventor: 永野 光芳 , 高巣 正信 , 在田 洋 , 佐野 聡
- Applicant: 日本タングステン株式会社 , 宇部マテリアルズ株式会社 , 永野 光芳 , 高巣 正信 , 在田 洋 , 佐野 聡
- Applicant Address: 〒8128538 福岡県福岡市博多区美野島1丁目2番8号 Fukuoka JP
- Assignee: 日本タングステン株式会社,宇部マテリアルズ株式会社,永野 光芳,高巣 正信,在田 洋,佐野 聡
- Current Assignee: 日本タングステン株式会社,宇部マテリアルズ株式会社,永野 光芳,高巣 正信,在田 洋,佐野 聡
- Current Assignee Address: 〒8128538 福岡県福岡市博多区美野島１丁目２番８号 Fukuoka JP
- Agency: 小堀 益 et al.
- Priority: JP2008-016246 20080128
- Main IPC: C04B35/053
- IPC: C04B35/053 ; C23C14/34
Abstract:
【課題】焼結密度が理論密度に近く、機械的性質及び熱伝導率が良好で、ガス発生による雰囲気の汚染を低減できるＭｇＯ焼結体及びその製造方法を提供すること 【解決手段】一軸圧力を加えた面に（１１１）面を多く配向させた独自の結晶異方性を有する多結晶ＭｇＯ焼結体である。係る多結晶Ｍｇ体焼結体は、粒径が１μｍ以下のＭｇＯ原料粉末を一軸加圧焼結する工程と、その後、酸素が０．０５体積％以上存在する雰囲気下にて１２７３Ｋ以上の温度で１分間以上熱処理する工程とを経ることによって得られる。
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