公开(公告)号：WO2009096384A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：PCT/JP2009/051259

申请日：2009-01-27

Applicant: 日本タングステン株式会社 ,  宇部マテリアルズ株式会社 ,  永野 光芳 ,  高巣 正信 ,  在田 洋 ,  佐野 聡

Inventor： 永野 光芳 ,  高巣 正信 ,  在田 洋 ,  佐野 聡

IPC: C04B35/053 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/043 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  Y10T428/258

Abstract: 【課題】焼結密度が理論密度に近く、機械的性質及び熱伝導率が良好で、ガス発生による雰囲気の汚染を低減できるＭｇＯ焼結体及びその製造方法を提供すること 【解決手段】一軸圧力を加えた面に（１１１）面を多く配向させた独自の結晶異方性を有する多結晶ＭｇＯ焼結体である。係る多結晶Ｍｇ体焼結体は、粒径が１μｍ以下のＭｇＯ原料粉末を一軸加圧焼結する工程と、その後、酸素が０．０５体積％以上存在する雰囲気下にて１２７３Ｋ以上の温度で１分間以上熱処理する工程とを経ることによって得られる。

Abstract translation: 公开了具有接近理论密度的烧结密度的多晶MgO烧结体，具有良好的机械性能和导热性，并且可以通过气体放出来减少气氛的污染，以及制造MgO烧结体的方法。 多晶MgO烧结体具有如此独特的晶体各向异性，使大部分（111）面在已经施加单轴压力的平面上排列。 多晶MgO烧结体通过包括以下步骤的方法获得：将具有不大于1μm的粒径的MgO材料粉末进行单轴加压烧结的步骤，然后在具有氧含量的气氛中进行热处理的步骤 在1273K或更高的温度下小于0.05体积％1分钟以上。

公开(公告)号：WO2013005690A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/JP2012/066789

申请日：2012-06-29

Applicant: 宇部マテリアルズ株式会社 ,  日本タングステン株式会社 ,  佐野 聡 ,  西村 芳寛 ,  渡辺 高行 ,  加藤 裕三 ,  植木 明 ,  味冨 晋三 ,  高巣 正信 ,  原 勇介 ,  田中 敬章

Inventor： 佐野　聡 ,  西村　芳寛 ,  渡辺　高行 ,  加藤　裕三 ,  植木　明 ,  味冨　晋三 ,  高巣　正信 ,  原　勇介 ,  田中　敬章

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/053 ,  C04B35/5607 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

Abstract: 　ＭｇＯ膜を成膜する際に、スパッタリング用ターゲットとしてＭｇＯを用いた場合であっても、成膜速度を高速化可能なスパッタリング用ＭｇＯターゲットを提供する。　ＭｇＯと導電性物質とを主成分とするスパッタリング用ＭｇＯターゲットであって、前記導電性物質は、ＭｇＯとともにＤＣスパッタリング法によって成膜された際に、成膜されたＭｇＯ膜に配向性を付与可能であることを特徴とするスパッタリング用ＭｇＯターゲットである。

Abstract translation: 提供一种用于溅射的MgO靶，即使在形成MgO膜时，即使在使用MgO作为溅射靶的情况下也能够提高成膜速度。 用于溅射的MgO靶，其主要由MgO和导电物质组成。 用于溅射的MgO靶的特征在于，当导电物质与MgO一起用于通过DC溅射的成膜时，导电物质能够提供具有取向的形成的MgO膜。