第１の不揮発性半導体メモリ素子と、前記第１の不揮発性半導体メモリ素子に対し相反する論理状態の情報を記憶する第２の不揮発性半導体メモリ素子と、により１つの情報を記憶する記憶部と、１対となる第１の信号線と第２の信号線を介して前記第１および第２の不揮発性半導体メモリ素子に記憶される情報を読み出すセンス部と、を備える半導体装置であって、前記第１および第２の不揮発性半導体メモリ素子の各々は、半導体基板上に形成されたフローティングゲート、ドレインおよびソースを少なくとも含み、書き込み状態として、前記ソース－ドレイン間に電圧を印加して電荷を前記フローティングゲートに注入して蓄積すると共に、消去状態として、前記フローティングゲートに蓄積された電荷の消去時に、前記半導体基板とドレイン又はソース間に電圧を印加し、バンド－バンド間によるホットキャリアを前記半導体基板中に発生させ、該ホットキャリアにより前記フローティングゲートに蓄積された電荷を消去するように構成されることを特徴とする半導体装置。