Invention Application
- Patent Title: 半導体用ボンディングワイヤ
- Patent Title (English): Bonding wire for semiconductor
- Patent Title (中): 用于半导体的接线
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Application No.: PCT/JP2010/052029Application Date: 2010-02-12
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Publication No.: WO2010106851A1Publication Date: 2010-09-23
- Inventor: 宇野 智裕 , 寺嶋 晋一 , 山田 隆 , 大石 良 , 小田 大造
- Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 , 株式会社日鉄マイクロメタル , 宇野 智裕 , 寺嶋 晋一 , 山田 隆 , 大石 良 , 小田 大造
- Applicant Address: 〒1010021 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 Tokyo JP
- Assignee: 新日鉄マテリアルズ株式会社,株式会社日鉄マイクロメタル,宇野 智裕,寺嶋 晋一,山田 隆,大石 良,小田 大造
- Current Assignee: 新日鉄マテリアルズ株式会社,株式会社日鉄マイクロメタル,宇野 智裕,寺嶋 晋一,山田 隆,大石 良,小田 大造
- Current Assignee Address: 〒1010021 東京都千代田区外神田四丁目１４番１号 Tokyo JP
- Agency: 牛木 護
- Priority: JP2009-063874 20090317
- Main IPC: H01L21/60
- IPC: H01L21/60 ; C22C5/02 ; C22C5/06 ; C22C9/00 ; C22C9/01 ; C22C9/02 ; C22C9/04
Abstract:
本発明は、ボール接合性、ワイヤ加工性を両立することができ、ループ安定性、プル強度、ウェッジ接合性を高める複層ワイヤを提供することを目的とする。 Cu、Au、Agの1種以上の元素を主成分とする芯材と、前記芯材の上にPdを主成分とする外層とを有し、ワイヤ全体に含まれる総計の水素濃度が0.0001～0.008mass%の範囲であることを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。
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IPC分类:
