Invention Application
- Patent Title: 半導体装置およびその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for fabricating same
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
-
Application No.: PCT/JP2010/003038Application Date: 2010-04-28
-
Publication No.: WO2010125810A1Publication Date: 2010-11-04
- Inventor: 中川隆史 , 北野尚武 , 松尾和昭 , 小須田求 , 辰巳徹
- Applicant: キヤノンアネルバ株式会社 , 中川隆史 , 北野尚武 , 松尾和昭 , 小須田求 , 辰巳徹
- Applicant Address: 〒2158550 神奈川県川崎市麻生区栗木2丁目5番1号 Kanagawa JP
- Assignee: キヤノンアネルバ株式会社,中川隆史,北野尚武,松尾和昭,小須田求,辰巳徹
- Current Assignee: キヤノンアネルバ株式会社,中川隆史,北野尚武,松尾和昭,小須田求,辰巳徹
- Current Assignee Address: 〒2158550 神奈川県川崎市麻生区栗木２丁目５番１号 Kanagawa JP
- Agency: 渡辺敬介
- Priority: JP2009-108996 20090428
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L21/285 ; H01L21/336 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L27/088 ; H01L27/092 ; H01L29/423 ; H01L29/49
Abstract:
金属窒化物層と多結晶シリコン層からなるゲート電極を具備した電界効果トランジスタを有する半導体装置において、熱安定性に優れ、所望の仕事関数を実現するゲート電極を提供する。 シリコン基板５上のゲート絶縁膜６が、金属酸化物、金属シリケート、又は窒素が導入された金属酸化物もしくは金属シリケートからなる高誘電率絶縁膜を有し、 ゲート電極が、ゲート絶縁膜６上に配置されたＴｉとＮを含有する第１金属窒化物層７、ＴｉとＮを含有する第２金属窒化物層８および多結晶シリコン層９を有し、 第１金属窒化物層７のＴｉとＮのモル比率(Ｎ／Ｔｉ)が１.１以上であり、かつ結晶配向性Ｘ 1 が１.１ 1 2 が１.８≦Ｘ 2 である半導体装置。
Information query
IPC分类:
