公开(公告)号：WO2023035640A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/CN2022/091216

申请日：2022-05-06

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 刘曦光

IPC分类号： H01L21/28

摘要： 本公开实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构处理设备。通过反应腔体进行第一降温处理以将衬底冷却至第一预设温度，第一降温处理中单位时间的温度变化量为第一速率；通过冷却腔体进行第二降温处理以将衬底冷却至第二预设温度，第二降温处理中单位时间的温度变化量为第二速率，第一速率小于第二速率，第二预设温度小于第一预设温度。通过反应腔体进行第一降温处理，使得衬底先进行缓慢降温，然后再进行第二降温阶段，使得衬底降温至第二预设温度，避免因温差过大而导致栅极介质层碎裂，从而减少栅极结构的漏电现象。

公开(公告)号：WO2023035639A1

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/CN2022/091210

申请日：2022-05-06

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 刘曦光

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/67

摘要： 本公开实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构处理设备。进行第一降温处理以将衬底冷却至第一预设温度，第一降温处理中单位时间的温度变化量为第一速率；进行第二降温处理以将衬底冷却至第二预设温度，第二降温处理中单位时间的温度变化量为第二速率，第一速率小于第二速率，第二预设温度小于第一预设温度。通过进行第一降温处理，使得衬底先进行缓慢降温，然后再进行第二降温阶段，使得衬底降温至第二预设温度，避免因温差过大而导致栅极介质层碎裂，从而减少栅极结构的漏电现象。

公开(公告)号：WO2023021670A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/JP2021/030464

申请日：2021-08-19

申请人： オリンパス株式会社

发明人： 小林　慧一

IPC分类号： H01L27/146 ,  A61B1/05 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/40 ,  H04N5/369

摘要： 撮像ユニット１は、第１の主面１０ＳＡと第２の主面１０ＳＢとを有し、第１の主面１０ＳＡに受光回路１１が形成され、第２の主面１０ＳＢに開口を有するビアホールＨ１０の内面に貫通配線５０が配設されている撮像基板１０と、ビアホールＨ１０の周囲の第２の主面１０ＳＢおよびビアホールＨ１０の中の底面から第２の主面１０ＳＢに達しない範囲に配設されている半田レジスト膜６０と、ビアホールＨ１０の中に配設されている半田レジスト膜６０の表面を覆っており、ビアホールＨ１０の開口の外縁において、半田レジスト膜６０に覆われていない貫通配線５０と接合されている半田からなる接合端子７０と、を有する。

公开(公告)号：WO2023019743A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/CN2021/128320

申请日：2021-11-03

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 穆克军

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/00 ,  H01L29/72

摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极绝缘材料层；在栅极绝缘材料层上形成栅极材料层；对栅极材料层和栅极绝缘材料层执行刻蚀工艺，形成栅极层和栅极绝缘层；其中，栅极绝缘层和栅极层在平行于沟道长度的方向上均包括彼此相对的第一端和第二端，栅极绝缘层的第一端相对栅极层的第一端、栅极绝缘层的第二端相对栅极层的第二端均向内凹进预设长度。

公开(公告)号：WO2022249648A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/JP2022/010967

申请日：2022-03-11

申请人： パナソニックホールディングス株式会社

发明人： 樋口　洋

IPC分类号： H01L51/46 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

摘要： 本開示の組成物は、導電材料、ｐ型ドーパント、および溶媒を含む。当該溶媒は、アルコール、脂肪族炭化水素、シロキサン、エステル、およびエーテルからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む。本開示の電子デバイスの製造方法は、本開示の組成物を用いて第二電極６を形成することと、第一電極２、光電変換層３、正孔輸送層５、および第二電極６をこの順で積層することと、を含む。

公开(公告)号：WO2022231662A1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：PCT/US2021/065564

申请日：2021-12-29

申请人： SANDISK TECHNOLOGIES LLC

发明人： SAID, Ramy Nashed Bassely ,  MAKALA, Raghuveer S. ,  KANAKAMEDALA, Senaka ,  SHARANGPANI, Rahul

IPC分类号： H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/28 ,  H01L29/792

摘要： A three-dimensional memory device includes an alternating stack of insulating layers and electrically conductive layers, memory openings extending through the alternating stack, and memory opening fill structures located in the memory openings and containing a respective vertical semiconductor channel and a respective memory film. Each of the electrically conductive layers includes a tubular metallic liner in contact with a respective outer sidewall segment of a respective one of the memory opening fill structures, an electrically conductive barrier layer contacting the respective tubular metallic liner and two of the insulating layers, and a metallic fill material layer contacting the electrically conductive barrier layer, and not contacting the tubular metallic liner or any of the insulating layers. The memory opening fill structures are formed after performing a halogen outgassing anneal through the memory openings to reduce or eliminate the halogen outgassing damage in the layers of the memory film.

公开(公告)号：WO2022214338A1

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：PCT/EP2022/057969

申请日：2022-03-25

申请人： HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG

发明人： SUNDARAMOORTHY, Vinoth ,  KNOLL, Lars ,  WIRTHS, Stephan

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： The present disclosure relates to a method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device comprising: shallow implanting a dopant through a first surface (4) of a wide-bandgap semiconductor device (1) using an implantation energy of less than 15 keV to form at least one interface region (5) of a wide-bandgap semiconductor material (2), thermal treatment of the interface region (5) comprising the implanted dopant at a temperature below 1100°C, and depositing a metal material on top of the at least one interface region (5) to form at least one ohmic contact region (3). The present disclosure further relates to a wide-bandgap semiconductor device (1) comprising a semiconductor body or epitaxial layer comprising a wide-bandgap semiconductor material (2), at least one interface region (5) which is doped and arranged within the wide-bandgap semiconductor material (2), and at least one ohmic contact region (3) arranged on top of the at least one interface region (5).

公开(公告)号：WO2022210188A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/JP2022/013643

申请日：2022-03-23

申请人： 旭化成株式会社

发明人： 山田　智也

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

摘要： 本発明は、駆動電圧の増加や製造工程の増加を招来することなく、電流集中を抑制することができる窒化物半導体発光素子を提供する。窒化物半導体発光素子（１）は、第１窒化物半導体層（１１）との接触界面が第１方向（Ｌ１）に延伸する第１接触領域（１５１ａ～１５１ｅ）となるように配置されたｎ型電極（１５ａ～１５ｅ）と、第２窒化物半導体層（１３）との接触界面が第１方向（Ｌ１）に延伸する第２接触領域（１６１ａ，１６１ｃ）となるように配置されたｐ型電極（１６ａ，１６ｃ）とを備え、第１接触領域（１５１ａ～１５１ｅ）の外周線のうちの第１方向（Ｌ１）と平行な線分（１５１ａ３，１５１ｂ１，１５１ｃ３，１５１ｄ１）の長さは、第２接触領域（１６１ａ，１６１ｃ）の外周線のうちの第１方向（Ｌ１）と平行かつ第１接触領域（１５１ａ～１５１ｄ）に対向する線分（１６１ａ１，１６１ａ３，１６１ｃ１，１６１ｃ３）の長さよりも短い。

公开(公告)号：WO2022186192A1

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：PCT/JP2022/008577

申请日：2022-03-01

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 小田原　雅司 ,  砂本　昌利 ,  上野　隆二 ,  中村　祥太郎

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861

摘要： 半導体チップ（１）と、前記半導体チップ（１）の少なくとも一方の主面に設けられた電極（４）と、前記電極（４）上に設けられた第１接合用電極（６）と、前記第１接合用電極（６）上に設けられた第２接合用電極（７）と、を備え、前記電極（４）は、前記第１接合用電極（６）側の表面に凸部を有し、前記第１接合用電極（６）において、前記第２接合用電極（７）側の表面は平滑であり、前記第２接合用電極（７）において、前記第１接合用電極（６）と反対側の表面は平滑である、半導体素子。

公开(公告)号：WO2022172757A1

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：PCT/JP2022/002936

申请日：2022-01-26

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 山涌　純

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

摘要： 【解決手段】本開示の装置は、内部の処理空間が真空雰囲気となるように排気される処理容器に、第１の処理ガス、置換ガス、プラズマにより活性化した第２の処理ガス、置換ガスの順番で各ガスを交互に供給して基板に成膜するにあたり、第２の処理ガスを活性化するためのプラズマ生成機構を備えるプラズマ生成室と、プラズマ生成室を排気する排気機構と、プラズマ生成室と排気機構とを接続する排気路に設けられ、プラズマにより活性化した第２の処理ガスの供給先が前記排気路の下流側と前記処理空間との間で切り替わるように、開閉する供給先変更用バルブと、を備える。