フォトダイオードＰＤ１は、第１導電型の半導体領域と第２導電型の半導体領域とで形成されたｐｎ接合を有するｎ － 型半導体基板１を備えている。ｎ － 型半導体基板１には、ｎ － 型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。ｎ － 型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。