公开(公告)号：WO2020105197A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/JP2018/043304

申请日：2018-11-25

Applicant: 株式会社メイ ,  保坂 明彦

Inventor： 保坂　明彦

IPC: H04R1/10 ,  H04R1/06

Abstract: 【課題】無線通信により音声信号を受信するイヤホンであって、耳に安定して装着することのでき、音質が良いものを提供すること。 【解決手段】　本発明のイヤホンは、一軸方向に延びる音導管と、音導管の基端側に一軸方向に直交する方向の一側に偏位して配される前記一軸方向に音響を出力するスピーカと音導管に対してスピーカの背面側に配される無線通信基板と、音導管の基端を支持するとともに一軸方向に対して傾斜する傾斜面を介して基端から一側に膨らんでスピーカを収容するフロント部と、基端から直交する方向の他側に膨らんで無線通信基板を収容するリア部と、を有するハウジングと、を備え、スピーカの中心軸と音導管の中心軸との離間距離は、音導管の内半径より小さいことを特徴とする。

公开(公告)号：WO2020089956A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：PCT/JP2018/040007

申请日：2018-10-28

Applicant: 株式会社メイ ,  保坂 明彦

Inventor： 保坂　明彦

IPC: H04R1/10

Abstract: 【課題】　大きなスピーカを音導管の軸方向とスピーカの放音方向とを合わせて音導管の近くに配して、音質の良いイヤホンを提供すること。 【解決手段】　一軸方向に音響を出力するスピーカと、前記スピーカの中心から前記一軸方向に直交する方向の一側に偏位して配されて、前記一軸方向と平行な方向に延びる音導管と、 スピーカを収容するとともに前記音導管の基端を支持するハウジングとを備え、 前記ハウジングは、該基端から前記スピーカを収容する箇所に向けて前記一側と反対の他側に拡幅され、前記拡幅された箇所において傾斜する傾斜面を有し、前記スピーカの中心軸と前記音導管の中心軸との離間距離は、前記音導管の内半径より小さいイヤホンを提供する。ハウジング２の形状を工夫することにより、大きなスピーカを音導管の軸方向とスピーカの放音方向とを合わせて音導管の近くに配したものである。

公开(公告)号：WO2013011860A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/JP2012/067513

申请日：2012-07-09

Applicant: 日本電気硝子株式会社 ,  坂本 明彦 ,  川村 昌正 ,  谷田 正一 ,  六車 真人 ,  姫井 裕助

Inventor： 坂本　明彦 ,  川村　昌正 ,  谷田　正一 ,  六車　真人 ,  姫井　裕助

IPC: H01L31/04 ,  C03C23/00

CPC classification number: C03C21/002 ,  C03C3/087 ,  C03C4/0035 ,  C03C23/008 ,  H01L31/02 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541

Abstract: 　化合物半導体太陽電池等の太陽電池用ガラス基材として、優れたナトリウム供給能を有するガラス基材を提供する。太陽電池に用いられるガラス基材であって、少なくとも一方の面において、深さ０．２μｍにおけるナトリウム濃度が、深さ１μｍにおけるナトリウム濃度に対して、相対値で０．５５以上であることを特徴とする。

Abstract translation: 提供作为太阳能电池的玻璃基底例如化合物半导体太阳能电池具有优异的钠供应能力的玻璃基底。 在太阳能电池中使用的玻璃基底，其特征在于，在深度为1μm的钠浓度相对于1μm深度的钠浓度的相对值在至少一个面上为0.55以上。

公开(公告)号：WO2012063745A1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/JP2011/075498

申请日：2011-11-04

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  日本電気硝子株式会社 ,  朴 金載 ,  境 哲男 ,  山内 英郎 ,  永金 知浩 ,  坂本 明彦

Inventor： 朴　金載 ,  境　哲男 ,  山内　英郎 ,  永金　知浩 ,  坂本　明彦

IPC: H01M4/13 ,  H01G9/058 ,  H01M4/139 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62

CPC classification number: H01M4/622 ,  H01G11/06 ,  H01G11/46 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/5825 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: 　本発明は、高容量かつ優れた初回充放電特性を有し、しかもサイクル特性とハイレート特性に優れ、さらに安全性にも優れた、低環境負荷であり、低コストな蓄電デバイス用負極材料およびそれを用いてなる蓄電デバイス用負極を提供することを目的とする。　本発明は、酸化物材料を含む負極活物質と、水溶性高分子からなる結着剤とを含有する蓄電デバイス用負極材料およびそれを用いてなる蓄電デバイス用負極である。そして、水溶性高分子としては、セルロース誘導体またはポリビニルアルコールを用いることができる。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于蓄电装置的负极材料，其具有高容量和优异的初始充放电特性，具有优异的循环特性和高速率特性，安全性优 并且还具有低的环境影响和低成本，并且提供使用负极材料并用于蓄电装置的负极。 本发明是一种用于蓄电装置的负极材料，其包含含有氧化物的负极活性物质和含有水溶性聚合物的粘合剂，并且是用于电力的负极 使用负极材料的储存装置。 可以使用纤维素衍生物或聚乙烯醇作为水溶性聚合物。

公开(公告)号：WO2011129224A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/JP2011/058577

申请日：2011-04-05

Applicant: 日本電気硝子株式会社 ,  結城 健 ,  永金 知浩 ,  坂本 明彦

Inventor： 結城　健 ,  永金　知浩 ,  坂本　明彦

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/36

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/625 ,  Y02T10/7011

Abstract: 一般式ＬｉＭ ｘ Ｆｅ １－ｘ ＰＯ ４ （０≦ｘ＜１、ＭはＮｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも1種）で表されるオリビン型結晶を含有する正極活物質粒子およびその表面を被覆するカーボン含有層からなるリチウムイオン二次電池正極材料であって、比表面積が５ｍ ２ ／ｇ以上であることを特徴とするリチウムイオン二次電池正極材料。

Abstract translation: 所公开的锂离子二次电池正极材料包括：含有由通式LiM x Fe 1-x PO 4表示的橄榄石晶体（其中0 = x <1且M为选自铌中的至少一种元素）的正极活性材料晶粒 ，钛，钒，铬，锰，钴和镍）; 以及覆盖所述颗粒表面的含碳层。 所公开的锂离子二次电池正极材料的特征在于比表面积至少为5m 2 / g。

公开(公告)号：WO2011129149A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/JP2011/053835

申请日：2011-02-22

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  間瀬 光人 ,  坂本 明 ,  鈴木 高志 ,  山崎 智浩 ,  藤井 義磨郎

Inventor： 間瀬　光人 ,  坂本　明 ,  鈴木　高志 ,  山崎　智浩 ,  藤井　義磨郎

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0236

Abstract: 　半導体光検出素子１Ａは、半導体層２０と、半導体層２０上に成長し且つ半導体層２０よりも低い不純物濃度を有するエピタキシャル半導体層２１と、を有するシリコン基板２と、エピタキシャル半導体層２１の表面上に設けられた導体と、を備えている。エピタキシャル半導体層２１には、光感応領域が形成されている。半導体層２０における少なくとも光感応領域に対向する表面２ＢＫには、不規則な凹凸２２が形成されている。不規則な凹凸２２は、光学的に露出している。

Abstract translation: 公开了半导体光检测元件（1A），其设置有：在半导体层（20）上生长的具有半导体层（20）的硅衬底（2）和外延半导体层（21） 并且其杂质浓度低于半导体层（20）的杂质浓度。 以及设置在外延半导体层（21）的表面上的导体。 在外延半导体层（21）上形成感光区域。 至少在半导体层（20）的表面（2BK）上形成不规则的凹凸，所述表面面向感光区域。 不规则的凹凸部（22）被光学曝光。

公开(公告)号：WO2011092842A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/JP2010/051238

申请日：2010-01-29

Applicant: NECディスプレイソリューションズ株式会社 ,  斉藤 裕之 ,  加藤 厚志 ,  宇都宮 基恭 ,  大坂 明弘 ,  松原 正晃

Inventor： 斉藤　裕之 ,  加藤　厚志 ,  宇都宮　基恭 ,  大坂　明弘 ,  松原　正晃

IPC: G03B21/14 ,  G03B21/00

CPC classification number: G03B21/204 ,  G03B21/208 ,  H04N9/3111 ,  H04N9/3161

Abstract: 本発明は、エテンデューが小さく、より長寿命かつ高輝度の照明光学系を実現するもので、励起光を発生するレーザ光源と、　前記励起光により蛍光を発生する蛍光体と、　一端に入射された前記励起光を他端より前記蛍光体へ向けて出射し、前記蛍光体にて発生した蛍光を前記一端より出射するライトトンネルと、　前記レーザ光源と前記ライトトンネルの間に設けられ、前記蛍光と前記励起光のいずれか一方を通過させ、他方を反射させるダイクロイックミラーと、を備える。

Abstract translation: 公开了一种照明光学系统，其具有较小的光密度，更长的使用寿命和更高的亮度。 该系统具有：产生激发光的激光光源; 荧光体，当施加激发光时产生荧光; 从另一端向荧光体输出从一端输入的激发光通过该光通道，并且从所述一端输出通过荧光体产生的荧光; 以及设置在激光光源与光通道之间的二向色镜，通过荧光或激发光，并反射另一方。

公开(公告)号：WO2011027763A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：PCT/JP2010/064882

申请日：2010-09-01

Applicant: コニカミノルタホールディングス株式会社 ,  松尾 隆 ,  小坂 明

Inventor： 松尾　隆 ,  小坂　明

IPC: H02N11/00 ,  H02N2/00 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/2254 ,  G02B7/028 ,  G02B7/08 ,  H04N5/2257 ,  H04N5/23212 ,  H04N5/23241

Abstract: 　応答性能と駆動の自由度とを確保しつつ、エネルギー消費量の低減を図ることが可能なアクチュエータ、ならびに該アクチュエータを搭載した駆動装置およびカメラモジュールを提供することを図る。上記目的を達成するために、アクチュエータは、温度変化に応じて変形を生じるとともに該変形に応じて変位する変位部を有する可動部と、該可動部の少なくとも一端が固定される基準部と、該基準部に対して固定されるとともに、可動部のうちの基準部に対して固定される一端から他端に至る途中までの部分における温度変化に応じた変形を抑止する抑止部と、を備える。そして、該アクチュエータでは、可動部が、通電に応じて発熱するヒータ部を有する。

Abstract translation: 公开了一种致动器，其可以在确保响应性能和驾驶自由度的同时降低能量消耗。 还公开了其中安装有致动器的驱动装置和相机模块。 致动器设置有：具有位移部分的可移动部分，其相应于温度变化而变形并且相应于变形而移位; 参考部分，其具有固定到其上的可移动部分的至少一个端部; 以及抑制部，其固定在所述基准部上，并抑制与所述可动部的一部分的温度变化对应的变形，所述部是从固定在所述基准部的所述端部到达另一方的某一点的一部分 结束。 在致动器中，可移动部分具有在供电时产生热量的加热器部分。

公开(公告)号：WO2010098222A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/JP2010/052205

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  山村 和久 ,  坂本 明 ,  永野 輝昌

Inventor： 山村　和久 ,  坂本　明 ,  永野　輝昌

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/547

Abstract: 　半導体基板２を絶縁層４が露出するまでドライエッチングすることにより、半導体基板２を貫通して絶縁層４に至る孔Ｈ１を光感応領域Ｓ１に対応する位置に形成する。次に、ｎ ＋ 型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７に、不規則な凹凸２２を形成する。絶縁層４のｎ ＋ 型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面にピコ秒～フェムト秒パルスレーザ光が照射されると、絶縁層４が除去されると共に、ｎ ＋ 型埋込み層６の孔Ｈ１に露出する面７がピコ秒～フェムト秒パルスレーザ光に荒らされ、不規則な凹凸２２が面７の全面に形成される。次に、不規則な凹凸２２が形成された基板を熱処理する。

Abstract translation: 通过干法蚀刻半导体衬底（2）直到绝缘层（S1），形成穿过半导体衬底（2）并到达绝缘层（4）的孔（H1），其对应于感光区域（S1） 4）暴露。 接下来，在暴露于孔（H1）的n +型掩埋层（6）的表面（7）中形成不规则的突起和凹陷（22）。 当暴露于孔（H1）的绝缘层（4）的n +型掩埋层（6）的表面用皮秒 - 飞秒脉冲激光照射时，绝缘层（4）被去除，表面 暴露于孔（H1）的n +型掩埋层（6）的（7）被皮秒 - 飞秒脉冲激光粗糙化，并且在整个表面（7）上形成不规则的突起和凹陷（22）。 接下来，对形成有不规则突起和凹陷（22）的基板进行热处理。

公开(公告)号：WO2010098221A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/JP2010/052197

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  山村 和久 ,  坂本 明 ,  永野 輝昌 ,  石川 嘉隆 ,  河合 哲

Inventor： 山村　和久 ,  坂本　明 ,  永野　輝昌 ,  石川　嘉隆 ,  河合　哲

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: 　ｐ － 型半導体基板２０は、互いに対向する第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂを有し、光感応領域２１を含んでいる。光感応領域２１は、ｎ ＋ 型不純物領域２３と、ｐ ＋ 型不純物領域２５と、ｐ － 型半導体基板２０においてバイアス電圧を印加した際に空乏化する領域と、からなる。ｐ － 型半導体基板２０の第２主面２０ｂには、不規則な凹凸１０が形成されている。ｐ － 型半導体基板２０の第２主面２０ｂ側には、アキュムレーション層３７が形成されており、アキュムレーション層３７における、光感応領域２１に対向している領域は光学的に露出している。

Abstract translation: p型半导体衬底（20）具有彼此相对的第一主表面（20a）和第二主表面（20b），并包括感光区域（21）。 感光区域（21）由n +型杂质区（23），p +型杂质区（25）和在p型半导体衬底（20）中施加偏置电压时耗尽的区域构成。 在p型半导体衬底（20）的第二主表面（20b）上形成不规则的凹凸（10）。 在p型半导体衬底（20）的第二主表面（20b）侧上形成有积累层（37），并且与光敏区域（21）相对的聚集层（37）的区域被光学曝光。