Invention Application
- Patent Title: MIKROELEKTROMECHANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
- Patent Title (English): Micro-electromechanical semiconductor component and method for the production thereof
- Patent Title (中): 微机电半导体部件及其制造方法
-
Application No.: PCT/EP2011/050211Application Date: 2011-01-10
-
Publication No.: WO2011083160A2Publication Date: 2011-07-14
- Inventor: SENF, Reinhard
- Applicant: ELMOS SEMICONDUCTOR AG , SENF, Reinhard
- Applicant Address: Heinrich-Hertz-Straße 1 44227 Dortmund DE
- Assignee: ELMOS SEMICONDUCTOR AG,SENF, Reinhard
- Current Assignee: ELMOS SEMICONDUCTOR AG,SENF, Reinhard
- Current Assignee Address: Heinrich-Hertz-Straße 1 44227 Dortmund DE
- Agency: VON KREISLER SELTING WERNER
- Priority: EP10150405.8 20100111
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00
Abstract:
Das mikroelektromechanisches Halbleiterbauelement ist mit einem ersten SiIizium-Halbleitersubstrat (16) mit einer Oberseite, in die eine durch Seitenwände und eine Bodenwand begrenzte Kavität (18) eingebracht ist, und mit einem zweiten Silizium-Halbleitersubstrat (13) mit einer Siliziumoxidschicht (14) und einer auf diese aufgebrachten Polysiliziumschicht (15) definierter Dicke versehen. Das zweite Silizium-Halbleitersubstrat (13) ist mit seiner Polysiliziumschicht (15) der Oberseite des ersten Silizium-Halbleitersubstrats (16) zugewandt mit diesem gebondet und das zweite Silizium-Halbleitersubstrat (13) überdeckt die Kavität (18) in dem ersten Silizium-Halbleitersubstrat (16), In das zweite Silizium-Halbleitersubstrat (13) sind im Bereich von dessen die Kavität (18) überdeckenden Abschnitt Gräben (19) angeordnet, die sich bis zur Poiysiliziumschicht (15) erstrecken.
Information query
