Invention Application
- Patent Title: LiCoO2焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲット
- Patent Title (English): MANUFACTURING METHOD FOR LiCoO2 SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET MADE FROM SAME
- Patent Title (中): 用于LiCoO2烧结体的制造方法和从其制成的溅射靶
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Application No.: PCT/JP2010/007509Application Date: 2010-12-24
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Publication No.: WO2011086649A1Publication Date: 2011-07-21
- Inventor: 金 豊 , 鄒 弘綱 , 橋口 正一 , 三ヶ島 隆則 , 荻ノ沢 隆俊 , 井手上 渉
- Applicant: 株式会社アルバック , 金 豊 , 鄒 弘綱 , 橋口 正一 , 三ヶ島 隆則 , 荻ノ沢 隆俊 , 井手上 渉
- Applicant Address: 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 Kanagawa JP
- Assignee: 株式会社アルバック,金 豊,鄒 弘綱,橋口 正一,三ヶ島 隆則,荻ノ沢 隆俊,井手上 渉
- Current Assignee: 株式会社アルバック,金 豊,鄒 弘綱,橋口 正一,三ヶ島 隆則,荻ノ沢 隆俊,井手上 渉
- Current Assignee Address: 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 Kanagawa JP
- Agency: 大森 純一
- Priority: JP2010-006765 20100115
- Main IPC: C04B35/00
- IPC: C04B35/00 ; C23C14/34 ; H01M4/525
Abstract:
【課題】高密度な焼結体を安定して製造することができるLiCoO 2 焼結体の製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係るLiCoO 2 焼結体の製造方法は、LiCoO 2 粉末を型に充填する工程を含む。上記型内は減圧され、上記LiCoO 2 粉末は、上記型内で800℃以上880℃以下の温度で加圧焼結される。上記製造方法によれば、95%以上の相対密度と、10μm以上30μm以下の平均粒径とを有するLiCoO 2 焼結体を安定して製造することができる。
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