公开(公告)号：WO2009063950A1

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：PCT/JP2008/070706

申请日：2008-11-13

Applicant: 株式会社アルバック ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

Inventor： 菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

IPC: H01L27/105 ,  C23C14/06 ,  H01L45/00

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/0623 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜され、融点を降下させる融点降下材料を含むカルコゲン化合物からなる。

Abstract translation: 公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔中，并且由包含降低熔点的熔点降低材料的硫属化合物组成。

公开(公告)号：WO2009044769A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：PCT/JP2008/067823

申请日：2008-10-01

Applicant: 株式会社アルバック ,  菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

Inventor： 菊地 真 ,  西岡 浩 ,  木村 勲 ,  神保 武人 ,  鄒 弘綱

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 　本発明のカルコゲナイド膜は、基板上の絶縁層に形成されたコンタクトホール内にスパッタリングにより成膜されたカルコゲナイド膜であって、前記コンタクトホールの少なくとも底部に下地膜が形成され、この下地膜上かつ前記コンタクトホール内にカルコゲン化合物からなる結晶層を埋め込んでなる。

Abstract translation: 公开了一种硫属化物膜，其形成在通过溅射形成在基板上的绝缘层中的接触孔内。 至少在接触孔的底面形成基膜，在基膜上形成由硫属化合物构成的结晶层，以填充接触孔。

公开(公告)号：WO2009060769A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：PCT/JP2008/069681

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社 アルバック ,  植田 昌久 ,  栗本 孝志 ,  中村 久三 ,  鄒 弘綱 ,  余吾 鋭哉 ,  小松 一茂 ,  橘 信介

Inventor： 植田 昌久 ,  栗本 孝志 ,  中村 久三 ,  鄒 弘綱 ,  余吾 鋭哉 ,  小松 一茂 ,  橘 信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 　アッシングレートの経時変化を抑制するアッシング装置。露出金属を含む基板（Ｗ）上の有機材料を処理室（１１）内にてアッシングするアッシング装置は、処理室（１１）内に形成され、該処理室（１１）に供給された活性種が通過する経路を含む。この経路は、該経路を画定する面であって、活性種によって基板（Ｗ）から飛散する前記金属が付着し得る面（１１ａ；３１ａ；３３ａ；３３ｂ）に、前記金属と同一の金属が露出されるように形成されている。

Abstract translation: 灰度系数随着时间的变化而被抑制。 在处理室（11）中在包括暴露金属的基板（W）上进行有机材料灰化的灰化系统包括形成在处理室（11）中的通道，其中通过供给到处理室（11）的活性物质 ） 经过。 该通道形成为使得与通过活性物质从基板（W）散射的金属相同的金属暴露于限定通道的表面（11a; 31a; 33a; 33b），并且从基板（ W）坚持。