Invention Application
- Patent Title: 半導体装置およびその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing same
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2010/058023Application Date: 2010-05-12
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Publication No.: WO2011142006A1Publication Date: 2011-11-17
- Inventor: 藤澤 敦
- Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 , 藤澤 敦
- Applicant Address: 〒2118668 神奈川県川崎市中原区下沼部1753番地 Kanagawa JP
- Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社,藤澤 敦
- Current Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社,藤澤 敦
- Current Assignee Address: 〒2118668 神奈川県川崎市中原区下沼部1753番地 Kanagawa JP
- Agency: 筒井 大和
- Main IPC: H01L23/50
- IPC: H01L23/50
Abstract:
半導体装置が有するダイパッドの外形寸法よりも小さい四角形の平面形状からなるチップ搭載領域の4つの角部に、それぞれ溝部(溝)を形成する。各溝部は、溝部が配置される角部を結ぶ対角線に対して交差する方向に沿って形成し、その両端は、チップ搭載領域の外側まで延在させる。半導体チップは、このチップ搭載領域上に、ダイボンド材を介して搭載される。これにより、半導体装置を実装基板に実装する際のリフロー工程におけるダイボンド材の剥離を抑制することができる。また、仮に、剥離が発生した場合でも、剥離の進展を抑制することができる。
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IPC分类: