본 발명은 다수의 단위셀을 포함하는 멀티 셀 구조를 갖는 발광다이오드에 관한 것으로써, 기존의 n형 반도체층의 전극형성을 위한 메사식각 영역과 p형 반도체층과의 컨택을 위해 형성되는 본딩 패드로 인한 발광다이오드면의 광손실을 줄이고, 광 효율을 높이는 발광다이오드에 관한 것이다. 또한, 종래기술과 동일한 칩(chip) 제작공정을 거치더라도 칩 사이즈(Chip size)의 조절이 가능하여, 서로 다른 사이즈의 칩을 제작 할 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명의 일측면에 의하면, 투광성 기판(Substrate); 상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층; 상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(hole); 상기 복수의 홀(hole) 중 일부의 홀(hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 제 1전극; 상기 제 1전극의 측면 둘레를 감싸서 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막; 상기 복수의 홀(hole) 중 상기 제 1전극이 형성되지 아니한 홀의 측면 및 하부면에 형성되는 제 2보호막; 상기 제 2보호막 및 상기 제 2반도체층 상에 형성되는 반사층 또는 전류확산층; 및 상기 반사층 또는 전류확산층상에 형성되는 제 2전극;을 구비하는 단위셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드를 제공한다.