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公开(公告)号：WO2023033495A1
公开(公告)日：2023-03-09
申请号：PCT/KR2022/012918
申请日：2022-08-30
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 나노로드 LED를 광원으로 사용하는 컬러 표시장치에 있어서, 컬러표현을 위한 복수의 자발광 화소층의 각각은 서로 별도로 이루어지는 것을 특징으로 하는 하는 나노로드 LED 화소 구조, 표시장치 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 복수의 화소층은 적어도 일부 영역에서 서로 겹치도록 형성될 수 있고, 서로 겹치는 상기 일부 영역에서는 복수의 자발광 화소층 가운데 발광을 위한 밴드갭이 가장 작은 화소층이 기판 상에 가장 먼저 형성되고, 밴드갭이 가장 큰 화소층이 가장 늦게 형성될 수 있으며, 이때, 복수의 자발광 화소층은 함께 백색광을 형성할 수 있는 서로 다른 세 색상의 화소층이고, 기준 화소 영역의 적어도 일부에서 서로 겹치도록 형성되며, 기준 화소 영역에는 세 색상의 화소층에 각각 대응하는 모두 3개의 화소구동회로가 구비될 수도 있다.
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公开(公告)号：WO2023282411A1
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：PCT/KR2021/018207
申请日：2021-12-03
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 측정거리 향상형 분포형 광섬유 센서에 관한 것으로서, 메인 광원에서 출사되는 광을 제1출력단으로 출력하고, 제1출력단에서 역으로 진행되는 광을 제1검출단으로 출력하는 제1광써큘레이터와, 제1출력단과 일단이 접속된 제1분담센싱 광섬유와, 제1분담센싱 광섬유와 분리되어 연장된 제2분담 센싱 광섬유와, 제1분담센싱 광섬유의 타단과 제2분담센싱 광섬유의 일단 사이에 접속되어 제1분담센싱 광섬유에서 전송되는 광을 증폭하여 제2분담센싱 광섬유에 전송하고, 제2분담센싱 광섬유에서 역으로 진행되는 광을 증폭하여 제1분담센싱 광섬유에 역으로 진행되게 전송하는 중계 증폭부와, 제1검출단에서 출력되는 광을 검출하는 광검출기와, 광검출기에서 출력되는 신호로부터 제1 및 제2분담 센싱광섬유가 설치된 영역에 대한 검출 물리량을 측정하는 신호 처리 유니트를 구비한다. 이러한 측정거리 향상형 분포형 광섬유 센서에 의하면, 펄스폭을 확장시키지 않으면서도 장거리 전송광의 감쇄분이 복원되게 증폭되도록 지원함으로써 위치 측정 분해능을 저하시키지 않고 측정거리를 향상시킬 수 있는 장점을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2022102838A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2020/016597
申请日：2020-11-23
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 채널 수 가변형 보청기 및 보청기의 채널 수 가변 방법을 개시한다. 본 실시예의 일 측면에 의하면, 소리 신호를 입력 받는 마이크로 폰; 상기 마이크로 폰으로부터 입력된 소리신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 AD 변환부; 상기 AD 변환부로부터 출력되는 상기 디지털 신호를 처리하는 필터 뱅크 채널을 결정하는 제어부; 상기 결정된 필터 뱅크 채널에 기초하여 상기 디지털 신호를 지연시키는 버퍼부; 적어도 하나의 필터 뱅크 채널을 포함하되, 상기 결정된 필터 뱅크 채널을 이용하여 상기 디지털 신호를 합성하여 출력하는 신호 처리부; 상기 신호 처리부로부터 출력되는 디지털 신호를 소리 신호로 변환하여 출력하는 DA 변환부; 및 상기 DA 변환부로부터 출력되는 소리 신호를 출력하는 스피커를 포함하되, 상기 제어부는 기 설정된 조건에 기초하여 상기 디지털 신호를 처리하는 필터 뱅크 채널을 결정하는 것을 특징으로 하는, 채널 수 가변형 보청기를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2019164102A1
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：PCT/KR2018/015091
申请日：2018-11-30
Applicant: 한국광기술원
IPC: A61B5/00 , G01N21/3581 , G01N21/359 , G02B1/00 , G01N21/17
Abstract: 본 발명은 광 진단 및 광 치료를 위한 하이브리드 이미징 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광학적 방법을 이용하여 가시광선 이미지 또는 근적외선 이미지와 원적외선 이미지를 동시에 획득하는 광 진단 및 광 치료를 위한 하이브리드 이미징 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 진단 및 광 치료를 위한 하이브리드 이미징 시스템은 광분배부, 가시광선/근적외선 측정부, 원적외선 측정부 및 광원부를 포함할 수 있으며, 이로 인해 가시광선 이미지, 근적외선 이미지 및 원적외선 이미지를 상호 왜곡 없이 동시에 신속하게 추출할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2019088352A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2017/014671
申请日：2017-12-13
Applicant: 한국광기술원
IPC: H04L27/34 , H04L27/36 , H04L27/38 , H04B10/516 , H04B10/11 , H04B7/0413
Abstract: 본 발명은 극좌표 변조장치 및 변조방법에 관한 것으로 극좌표 변조장치는 동일한 유클라디안 거리를 갖는 심볼을 생성하는 직교진폭변조 매핑부; 상기 직교진폭변조 매핑부로부터 생성된 심볼의 성상도를 재배열하는 성상도 재배열부; 상기 성상도 재배열부에 의해서 재배열된 성상도의 심볼을 크기와 위상 정보를 분리하여 변조하는 것을 특징으로 하며, 변조방법은 데이터를 직교진폭변조(QAM)하여 심볼 매핑하는 단계; 상기 매핑된 심볼의 성상도를 재배열하는 단계; 상기 재배열된 심볼을 크기와 위상정보를 분리하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2018212631A3
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：PCT/KR2018/005756
申请日：2018-05-19
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 개시되는 능동소자용 불소인산염계 유리는, Al(PO 3 ) 3 포함하는 메타인산염(metaphosphate) 조성물; BaF 2 및 SrF 2 를 포함하는 불소(fluoride) 조성물; 및 ErF 3 및 YbF 3 로 마련되는 도펀트(dopant);를 포함하여 조성되며, 능동소자(예: 광섬유 레이저)용 유리 모재로 채용 가능한 열적, 기계적 특성을 가지면서도 높은 형광단면적 특성을 가지며, 강화된 하향 및 상향전이 방출 특성 및 극저온 환경에서 높은 민감도(S)를 가진다.
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公开(公告)号：WO2012064050A2
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/008370
申请日：2011-11-04
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L29/045 , H01L33/0079
Abstract: 본 발명의 구체예에서 개시된 무극성 또는 반극성 III족 질화물 층은 각종 전자 소자의 기판 용도로 사용될 수 있는 바, 종래의 극성 III족 질화물 기판의 문제점을 완화 또는 해소할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 리프트 오프 방식에 의하여 제조될 수 있다.
Abstract translation: 在本发明的具体实施例中公开的非极性或半极性III族氮化物层可以用于各种电子器件的基板，其中通过使用氮化物衬底的氮化物衬底来减轻或解决常规极性III族氮化物衬底的问题 本发明，并且可以通过化学剥离工艺制造氮化物衬底。
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公开(公告)号：WO2012023662A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/KR2010/007668
申请日：2010-11-02
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 다수의 단위셀을 포함하는 멀티 셀 구조를 갖는 발광다이오드에 관한 것으로써, 기존의 n형 반도체층의 전극형성을 위한 메사식각 영역과 p형 반도체층과의 컨택을 위해 형성되는 본딩 패드로 인한 발광다이오드면의 광손실을 줄이고, 광 효율을 높이는 발광다이오드에 관한 것이다. 또한, 종래기술과 동일한 칩(chip) 제작공정을 거치더라도 칩 사이즈(Chip size)의 조절이 가능하여, 서로 다른 사이즈의 칩을 제작 할 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명의 일측면에 의하면, 투광성 기판(Substrate); 상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층; 상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(hole); 상기 복수의 홀(hole) 중 일부의 홀(hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 제 1전극; 상기 제 1전극의 측면 둘레를 감싸서 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막; 상기 복수의 홀(hole) 중 상기 제 1전극이 형성되지 아니한 홀의 측면 및 하부면에 형성되는 제 2보호막; 상기 제 2보호막 및 상기 제 2반도체층 상에 형성되는 반사층 또는 전류확산층; 및 상기 반사층 또는 전류확산층상에 형성되는 제 2전극;을 구비하는 단위셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드를 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有多单元结构的发光二极管，该多单元结构包括多个单位单元，由于形成用于在现有的单元单元之间的接触形成的接合焊盘，减少了光损耗并提高了发光二极管表面的光学效率 用于形成n型半导体层的电极和p型半导体层的台面蚀刻区域。 另外，即使使用与现有技术相同的芯片制造工艺，本发明允许调整芯片尺寸，从而制造不同尺寸的芯片。 更具体地，本发明的一个方面提供了具有包括单元电池的多单元结构的发光二极管，包括：透明基板; 依次形成在透明基板上的第一半导体层，有源层和第二半导体层; 通过去除所述第二半导体层和所述有源层的一部分而彼此分开形成的多个孔; 第一电极，其通过所述多个孔中的一些孔与所述第一半导体层接触，并且其上表面暴露于所述外部; 第一保护层，其围绕所述第一电极的横向周边以防止所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的短路; 形成在不形成第一电极的孔的侧面和下表面的第二保护层; 形成在第二保护层和第二半导体层上的反射层或电流扩散层; 以及形成在反射层或电流扩散层上的第二电极。
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公开(公告)号：WO2023075008A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/KR2021/018343
申请日：2021-12-06
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 노이즈 저감형 광섬유 음향 분포센서에 관한 것으로서, 자체 발생클럭에 동기되어 제1주기의 제1클럭신호와 제1주기 보다 짧게 설정된 제2주기의 제2클럭신호를 발생하는 클럭발생기와, 제1클럭신호에 동기되어 펄스광을 출력하는 펄스광 생성부와, 펄스광 생성부에서 출력되어 입력단을 통해 입력되는 펄스광을 출력단을 통해 센싱광섬유로 전송하고, 센싱광섬유에서 역으로 진행되는 광을 검출단으로 출력하는 광써큘레이터와, 광써큘레이터의 검출단에 접속되어 수신된 광에 대응되는 전기적 신호를 출력하는 광검출부와, 광검출부로부터 수신되는 신호에 대해 제2클럭신호에 동기되어 샘플링 데이터를 생성하고, 생성된 샘플링 데이터로부터 센싱광섬유의 위치별 음향 신호의 발생정보를 수집 및 처리하는 처리부를 구비한다. 이러한 노이즈 저감형 광섬유 음향 분포센서에 의하면, 클럭발생기에서 생성되는 클럭신호를 이용하여 펄스광 생성시기와 레일레이 산란신호로부터 샘플링데이터를 생성하는 처리부의 샘플링 시기가 동기됨으로써 샘플링 데이터 셋들의 측정위치 편차가 억제되어 측정정밀도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023287120A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/KR2022/009938
申请日：2022-07-08
Applicant: 한국광기술원
Inventor： 김효진
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 기판의 재활용이 가능한 Ⅲ-Ⅴ족 나노로드 태양전지 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 재활용이 가능하도록 복수의 나노 로드(Rod) 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 식각 방지층(Etching Stop Layer)이 성장하는 제1 성장과정과 상기 식각 방지층 상에 희생층이 성장하는 제2 성장과정과 상기 희생층 상에 각 나노로드 태양전지가 성장할 수 있는 위치마다 개구부를 포함하는 패턴층이 성장하는 제3 성장과정과 상기 희생층 상에 상기 패턴층 내 개구부를 거치며 각 나노로드 태양전지가 성장하는 제4 성장과정과 각 나노로드 태양전지의 외곽으로 태양전지 보호층이 형성되는 형성과정과 상기 희생층 및 상기 패턴층이 식각되는 제1 식각과정 및 상기 식각 방지층이 식각되는 제2 식각과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노로드 태양전지 제조방법을 제공한다.
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