本発明の半導体パッケージ（１）は、基板（２１）と、基板（２１）の一方の面側に設けられた導体パターン（２２１）と、基板（２１）の他方の面側に設けられ、導体パターン（２２１）と電気的に接続された導体パターン（２２４）とを備える配線基板（２）と、基板（２１）の一方の面に接合され、導体パターン（２２１）に電気的に接続される半導体素子（３）と、基板（２１）の他方の面に接合され、基板（２１）よりも熱膨張係数の小さい第２補強部材（５）とを有し、導体パターン（２２４）の基板（２１）と反対側の面には、複数の金属バンプ（７１）が接合され、第２補強部材（５）は、各金属バンプ（７１）に非接触で各金属バンプ（７１）を囲むように形成された複数の開口部（５１）を有する。