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公开(公告)号:WO2012035972A1
公开(公告)日:2012-03-22
申请号:PCT/JP2011/069641
申请日:2011-08-30
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 岡田 亮一 , 橘 賢也 , 八月朔日 猛
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/49833 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本発明の半導体パッケージ(1)は、配線基板(2)と、配線基板(2)の一方の面に接合された半導体素子(3)と、配線基板(2)の半導体素子(3)側の面の、半導体素子(3)が接合されていない部分に接合され、配線基板(2)よりも熱膨張係数が小さい第1補強部材(4)と、第1補強部材(4)に対して配線基板(2)とは反対側に設けられ、2つ以上の金属バンプ(400)を介して配線基板(2)に接合された配線基板(301)と、配線基板(301)の配線基板(2)とは反対側の面に接合された半導体素子(305)とを有し、半導体素子(3)は、配線基板(301)に対して接触しているか、または非接触である。
Abstract translation: 该半导体封装(1)包括:布线板(2); 接合到所述布线板(2)的一个表面的半导体元件(3); 与半导体元件(3)未连接的半导体元件(3)侧的布线基板(2)的表面的一部分接合的第一加强构件(4),并且具有较小的热系数 膨胀比接线板(2)的膨胀; 布线基板(301),其相对于所述第一加强部件(4)设置在与所述布线基板(2)相反的一侧,并且经由至少两个金属凸块(400)接合到所述布线板(2) ); 以及与布线基板(301)的与布线基板(2)相反的一侧接合的表面的半导体元件(305)。 半导体元件(3)接触或不接触布线板(301)。
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2.フリップチップ半導体パッケージ用の接続構造、ビルドアップ層材料、封止樹脂組成物および回路基板 审中-公开
Title translation: 贴片半导体封装,建筑材料,密封树脂组合物和电路板的连接结构公开(公告)号:WO2008123414A1
公开(公告)日:2008-10-16
申请号:PCT/JP2008/056069
申请日:2008-03-28
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 橘 賢也 , 和田 雅浩 , 畑尾 卓也
CPC classification number: H05K1/0271 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/73203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H05K3/305 , H05K3/4602 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2201/10977 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、クラックや剥離を抑制または低減させて信頼性を高め、回路基板内層回路の設計自由度を向上させてインダクタンスを低減したフリップチップ半導体パッケージ用の接続構造を提供する。本発明は、コア層とビルドアップ層を備える回路基板と、前記回路基板に金属バンプを介して接続されている半導体素子と、前記半導体素子と前記回路基板の間に封入されている封止樹脂組成物とを備えるフリップチップ半導体パッケージ用の接続構造であって、前記封止樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が80~150°Cで、室温からガラス転移温度までの線膨張係数が15~35ppm/°Cで、前記ビルドアップ層の硬化物のガラス転移温度が170以上で、ガラス転移温度以下の面方向の線膨張係数が40ppm/°C以下であり、前記コア層の少なくとも片側のビルドアップ層にスタックドビアを有するフリップチップ半導体パッケージ用の接続構造である。
Abstract translation: 通过抑制或减少破裂或剥离来提高可靠性的倒装芯片半导体封装的连接结构通过提高电路板内层电路的设计自由度来降低电感。 在包括具有芯层和积层的电路板的倒装芯片半导体封装的连接结构中,通过金属凸块与电路板连接的半导体元件和填充半导体元件和 电路板,固化密封树脂组合物的玻璃化转变温度为80-150℃,从室温到玻璃化转变温度的线性膨胀系数为15-35ppm /℃,固化积聚层的玻璃化转变温度为170° C以上时,表面方向的线膨胀系数在玻璃化转变温度以下为40ppm /℃以下,并且在芯层的至少一侧的积层中设置层叠的通孔。
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公开(公告)号:WO2008032620A1
公开(公告)日:2008-03-20
申请号:PCT/JP2007/067283
申请日:2007-09-05
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/145 , H01L23/498 , H01L23/49894 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/3011 , H05K1/0271 , H05K3/305 , H05K3/4602 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/0401
Abstract: 温度変化にともなう半導体装置の損傷を抑制する技術を提供する。 コア材の厚みを薄くした構造を採用したビルドアップ型の多層基板にシリコンチップをフリップチップ実装する際に、その多層基板に線膨張係数の小さなコア材を用いた上で、そのコア材の厚みおよび線膨張係数にあわせて、アンダーフィル材の線膨張係数およびガラス転移点を適切に設計している。このようにすれば、温度変化にともなう多層基板の変形などにより生じる半導体パッケージ内部の応力を緩和して、温度変化にともなう半導体パッケージの損傷を抑制することができる。
Abstract translation: 提供了抑制温度变化引起的半导体破损的技术。 为了将芯片安装在采用具有薄的芯材的结构的积层多层基板上的硅芯片上,具有小的线膨胀系数的芯材料用于多层基板,底部填充材料和玻璃的线性膨胀系数 过渡点适当设计,对应于芯材料的厚度和线膨胀系数。 因此,由于温度变化,由多层基板的变形等产生的半导体封装内的应力被改变,并且抑制了由温度变化导致的半导体封装的破损。
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4.金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法、金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板、インターポーザ及び半導体装置 审中-公开
Title translation: 用于制造具有金属镀金属图案的基材的方法,具有金属镀金属图案的基底材料,印刷线路板,插入器和半导体器件公开(公告)号:WO2011149019A1
公开(公告)日:2011-12-01
申请号:PCT/JP2011/062096
申请日:2011-05-26
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 橘 賢也 , 伊藤 哲平 , 三井 保明
CPC classification number: H05K3/108 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1689 , C23C18/1844 , C23C18/2006 , C23C18/2086 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/44 , C25D5/022 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K3/244 , H05K3/387 , H05K2201/0761 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 樹脂からなる支持表面を有する基材を準備する工程と、前記支持表面上に、表面粗度が0.5μm以下であるプライマー樹脂層を形成し、その上にSAP法によって金属微細パターンを形成して金属微細パターン付き基材を得る工程と、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面に金メッキ処理を行う工程とを含み、前記金メッキ処理を行う前の任意の段階において、金属微細パターン付き基材に対し、パラジウム除去処理を行う。
Abstract translation: 公开了一种具有镀金属精细图案的基材的制造方法,其包括:制备具有由树脂构成的支撑面的基材的工序; 通过在支撑面上形成表面粗糙度为0.5μm以下的底漆树脂层,使用SAP方法在底漆树脂层上形成金属精细图案,得到具有金属微细图案的基材的工序; 以及金属精细图案的至少一部分的表面镀金的步骤。 在进行镀金之前的任意步骤中,从具有金属精细图案的基材中除去钯。
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公开(公告)号:WO2012029579A1
公开(公告)日:2012-03-08
申请号:PCT/JP2011/068881
申请日:2011-08-22
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 岡田 亮一 , 橘 賢也 , 八月朔日 猛
CPC classification number: H01L23/24 , H01L23/16 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K3/3436 , H01L2224/0401
Abstract: 本発明の半導体パッケージ(1)は、基板(21)と、基板(21)の一方の面側に設けられた導体パターン(221)と、基板(21)の他方の面側に設けられ、導体パターン(221)と電気的に接続された導体パターン(224)とを備える配線基板(2)と、基板(21)の一方の面に接合され、導体パターン(221)に電気的に接続される半導体素子(3)と、基板(21)の他方の面に接合され、基板(21)よりも熱膨張係数の小さい第2補強部材(5)とを有し、導体パターン(224)の基板(21)と反対側の面には、複数の金属バンプ(71)が接合され、第2補強部材(5)は、各金属バンプ(71)に非接触で各金属バンプ(71)を囲むように形成された複数の開口部(51)を有する。
Abstract translation: 该半导体封装(1)具有:设置有基板(21)的布线基板(2),设置在基板(21)的一个面上的导体图案(221)和导体图案(224) ),其设置在所述基板(21)的另一面上并与所述导体图案(221)电连接。 半导体元件(3),其结合到所述基板(21)的一个表面,并且与所述导体图案(221)电连接。 和与基板(21)的另一个表面接合的第二加强构件(5),其热膨胀系数小于基板(21)的热膨胀系数。 在导体图案(224)的表面上,所述表面位于基板(21)的背面,多个金属凸块(71)被接合,第二加强件(5)具有多个开口 51),其形成为围绕每个金属凸块(71)而不与每个金属凸块(71)接触。
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公开(公告)号:WO2012029549A1
公开(公告)日:2012-03-08
申请号:PCT/JP2011/068673
申请日:2011-08-18
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 岡田 亮一 , 橘 賢也 , 八月朔日 猛
CPC classification number: H01L23/49833 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K2201/09136 , H05K2201/2018 , H01L2224/0401
Abstract: 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第1導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第1導体パターンと電気的に接続された第2導体パターンとを備える配線基板と、前記基板の前記一方の面に接合され、前記第1導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、前記基板の前記一方の面および前記他方の面のうちの少なくとも一方の面に接合された補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージを提供する。本発明の半導体パッケージによれば、配線基板の反りを抑制または防止することができ、さらに、半導体パッケージ全体の剛性が増す。また、半導体パッケージの放熱性を優れたものとすることができる。
Abstract translation: 本发明提供一种半导体封装,其特征在于,具有:设置有基板的布线基板,配置在基板的一个表面上的第一导电图案,以及配置在基板的另一面上的第二导电图案,与第一导体图案电连接 ; 连接到所述基板的表面的半导体元件,所述第一导电图案设置在所述表面上,并且电连接到所述第一导电图案; 以及加强构件,其连接到所述基板的至少一个表面。 利用本发明的半导体封装,可以抑制或防止布线板翘曲,并且整个半导体封装的刚性提高。 此外,半导体封装可以表现出优异的散热性能。
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公开(公告)号:WO2012169162A1
公开(公告)日:2012-12-13
申请号:PCT/JP2012/003627
申请日:2012-06-01
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 岡田 亮一 , 橘 賢也 , 小野塚 偉師 , 八月朔日 猛
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49833 , H01L23/3735 , H01L23/49827 , H01L23/562 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2224/0401
Abstract: 基板(21)と、基板(21)の一方の面側に設けられた第1導体パターン(221)と、基板(21)の他方の面側に設けられ、第1導体パターン(221)と電気的に接続された第2導体パターン(224)とを備える配線基板(2)の前記一方の面および前記他方の面のうちの、少なくとも1つの面に接合される補強部材(4)であって、配線基板(2)よりも熱膨張係数の小さい板状の本体(41)と、本体(41)の一方の面側に設けられ、本体(41)と配線基板(2)とを接合するための接着層(42)とを有する。
Abstract translation: 加强构件(4)接合到配备有基板(21)的布线基板(2)的至少一侧,设置在基板(21)一侧的第一导体图案(221)和第二导体 图案(224)设置在基板(21)的另一侧并电连接到第一导体图案(221)。 加强构件(4)具有热膨胀系数低于布线基板(2)的板状体(41)和位于主体(41)一侧的粘合层(42) 并且将本体(41)连接到布线基板(2)。
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公开(公告)号:WO2012029526A1
公开(公告)日:2012-03-08
申请号:PCT/JP2011/068361
申请日:2011-08-11
Applicant: 住友ベークライト株式会社 , 岡田 亮一 , 橘 賢也 , 八月朔日 猛
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49833 , H01L23/3672 , H01L23/49822 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/0401
Abstract: 本発明の目的は、熱による不具合の発生を防止することができる半導体パッケージおよび半導体装置を提供することにあり、本発明は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた第1導体パターンと、前記基板の他方の面側に設けられ、前記第1導体パターンと電気的に接続された第2導体パターンとを備える配線基板と、前記基板の前記一方の面に接合され、前記第1導体パターンに電気的に接続される半導体素子と、前記基板の前記一方の面の、前記半導体素子が接合されていない部分に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい第1補強部材と、前記基板の前記他方の面に接合され、前記基板よりも熱膨張係数の小さい第2補強部材とを有することを特徴とする半導体パッケージを第1半導体パッケージとして提供する。
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种半导体封装和半导体器件,其可以消除由于热而产生的麻烦。 本发明提供作为第一半导体封装的半导体封装,其特征在于具有:布线板,其具有基板,设置在基板的一个表面上的第一导体图案和设置在基板的一个表面上的第二导体图案 在所述基板的另一表面上并且电连接到所述第一导体图案; 半导体元件,其结合到所述基板的一个表面,并且电连接到所述第一导体图案; 第一加强构件,其结合到所述基板的一个表面的一部分,所述部分不具有与所述半导体元件结合的所述部分,并且其热膨胀系数小于所述基板的热膨胀系数; 以及第二加强构件,其接合到所述基板的另一表面,并且其热膨胀系数小于所述基板的热膨胀系数。
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