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Invention Application
WO2012039107A1 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 审中-公开
薄膜生产工艺和薄膜生产设备

薄膜製造方法及び薄膜製造装置
Abstract:
【課題】表面ラフネスの小さい誘電体薄膜を製造することができる薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供すること。 【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、チャンバ５１内の加熱された基板Ｓに供給し、基板Ｓへの前記金属原料ガスの供給を停止させ、金属原料ガスの供給の停止後、基板Ｓへの前記酸化ガスの供給を規制する。
Abstract(Chinese):

本发明提供薄膜制造方法和薄膜制造装置，能够制造表面粗糙度小的电介质薄膜。 [解决方案]该薄膜制造方法包括：将混合气体供给到放置在室（51）中并被加热的基板（S），其中混合气体包括用作原料的金属原料气体 对于具有钙钛矿型晶体的电介质薄膜和可与金属原料气体反应的氧化气体; 停止向基板（S）供给金属原料气体; 并且在停止供给金属原料气体之后，限制氧化气体供给到基板（S）。

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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