公开(公告)号：WO2012042772A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：PCT/JP2011/005208

申请日：2011-09-15

Applicant: 株式会社アルバック ,  増田 健 ,  出野 琢也 ,  梶沼 雅彦 ,  小田島 暢洋 ,  内田 洋平 ,  鄒 弘綱

Inventor： 増田　健 ,  出野　琢也 ,  梶沼　雅彦 ,  小田島　暢洋 ,  内田　洋平 ,  鄒　弘綱

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271

Abstract: 再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供するために、チャンバ５１内にダミー基板Ｓ2を搬送し、ダミー基板Ｓ２にダミー処理用ガを供給し、チャンバ５１内に製品基板Ｓ３を搬送し、製品基板Ｓ３に、ダミー処理用ガスと異なる、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic ChemicalVapor Deposition）法により薄膜を製造するための金属原料を含む原料ガスを供給する。ダミー処理用ガスとして原料ガスが用いられないので、各金属原料の消費量を抑えることができ、再現性のよい薄膜を省資源及び低コストで製造することができる。

Abstract translation: 为了提供薄膜制造方法和薄膜制造装置，其中可以以低成本制造具有良好重复性的薄膜，并且以节省资源的方式，将虚设基板（S2）输送到室 （51）中，将假处理气体供给到虚拟基板（S2），将产品基板（S3）输送到室（51）中，将原料气体与虚拟处理气体不同，并且内装有用于制造的金属材料 将具有金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法的薄膜供应到产品基板（S3）。 由于不使用原料气体作为虚拟处理气体，所以能够抑制金属材料的使用量，能够以低成本制造具有良好重复性的薄膜，并且以节省资源的方式。

公开(公告)号：WO2012039107A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/JP2011/005134

申请日：2011-09-13

Applicant: 株式会社アルバック ,  増田 健 ,  梶沼 雅彦 ,  出野 琢也 ,  小田島 暢洋 ,  内田 洋平 ,  鄒 弘綱

Inventor： 増田　健 ,  梶沼　雅彦 ,  出野　琢也 ,  小田島　暢洋 ,  内田　洋平 ,  鄒　弘綱

IPC: H01L21/316 ,  C01G25/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: C23C16/455 ,  C01G25/00 ,  C01P2002/34 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/55

Abstract: 【課題】表面ラフネスの小さい誘電体薄膜を製造することができる薄膜製造方法及び薄膜製造装置を提供すること。 【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、ペロブスカイト型結晶を有する誘電体薄膜の原料となる金属原料のガスと、金属原料ガスと反応する酸化ガスとを含む混合ガスを、チャンバ５１内の加熱された基板Ｓに供給し、基板Ｓへの前記金属原料ガスの供給を停止させ、金属原料ガスの供給の停止後、基板Ｓへの前記酸化ガスの供給を規制する。

Abstract translation: 本发明提供薄膜制造方法和薄膜制造装置，能够制造表面粗糙度小的电介质薄膜。 [解决方案]该薄膜制造方法包括：将混合气体供给到放置在室（51）中并被加热的基板（S），其中混合气体包括用作原料的金属原料气体 对于具有钙钛矿型晶体的电介质薄膜和可与金属原料气体反应的氧化气体; 停止向基板（S）供给金属原料气体; 并且在停止供给金属原料气体之后，限制氧化气体供给到基板（S）。