Invention Application
- Patent Title: VERFAHREN ZUR SELEKTIVEN SPALTUNG HÖHERER SILANE
- Patent Title (English): Process for selective cleavage of higher silanes
- Patent Title (中): 选择性切割高硅的工艺
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Application No.: PCT/EP2011/068534Application Date: 2011-10-24
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Publication No.: WO2012062560A2Publication Date: 2012-05-18
- Inventor: MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig
- Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH , MÜH, Ekkehard , RAULEDER, Hartwig
- Applicant Address: Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen DE
- Assignee: EVONIK DEGUSSA GMBH,MÜH, Ekkehard,RAULEDER, Hartwig
- Current Assignee: EVONIK DEGUSSA GMBH,MÜH, Ekkehard,RAULEDER, Hartwig
- Current Assignee Address: Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen DE
- Priority: DE10 20101109
- Main IPC: C01B33/04
- IPC: C01B33/04
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung monomerer und/oder dimerer Halogen und/oder Wasserstoff enthaltenden Siliciumverbindungen aus oligomeren anorganischen Silanen mit mindestens drei unmittelbar kovalent verbundenen Siliciumatomen, deren Substituenten gewählt sind aus Halogen, Wasserstoff und/oder Sauerstoff, indem das oligomere Silan in Gegenwart von Halogenwasserstoff an einem Stickstoff enthaltenden Katalysator umgesetzt wird.
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