Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung (10) zum Beschichten zumindest eines Oberflächenbereichs (28) und/oder zum Abtragen von Material aus zumindest einem Oberflächenbereich (28) eines beliebig geformten Werkstücks (22) mittels plasmagestützter chemischer Gasphasenabscheidung, mit einer Kammer (14), die eine Hochfrequenz-Elektrode (22), eine Referenz-Elektrode (29) und eine elektrisch leitfähige Werkstückhalterung (24) aufweist und mit einer Schaltungsanordnung (30) zum Einspeisen von Hochfrequenz, die zumindest einen Hochfrequenz-Generator (32) und Hochfrequenzleitungspfade (36, 38, 40) aufweist, wobei der Hochfrequenz-Generator (32) über Hochfrequenzleitungspfade (36, 38, 40) mit an voneinander räumlich getrennten Einspeise-Stellen (42, 44, 46) der Hochfrequenz- Elektrode (22) angeschlossen ist. Es ist vorgesehen, dass die Hochfrequenz-Elektrode (22) mit der Mehrzahl von Einspeise- Stellen (42, 44, 46) elektrisch leitend mit der Werkstückhalterung (24) verbunden ist.