提供一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底（10）上形成有绝缘隔离层（30）；在绝缘隔离层（30）中形成有绝缘隔离层沟槽（42）；在绝缘隔离层沟槽（42）中形成有有源区层（50）；在有源区层（50）中和其上形成半导体器件结构；其特征在于：有源区层（50）的载流子迁移率高于衬底（10）的载流子迁移率。该半导体器件由于使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，该半导体器件的制造方法先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。