Schichtverbund (10) umfassend mindestens ein elektronisches Substrat (11) und eine Schichtanordnung (20, 30) aus zumindest einer ersten Schicht (20) eines ersten Metalls und/oder einer ersten Metalllegierung und aus einer an diese erste Schicht (20) angrenzenden zweiten Schicht (30) eines zweiten Metalls und/oder einer zweiten Metalllegierung, wobei die Schmelztemperaturen der ersten und der zweiten Schicht unterschiedlich sind, und wobei nach einer Temperaturbehandlung der Schichtanordnung (20, 30) zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein Bereich mit mindestens einer intermetallischen Phase (40) ausgebildet ist, wobei die erste (20) oder die zweite Schicht (30) gebildet wird von einem Reaktionslot, welches aus einer Mischung eines Basislots mit einer AgX-, CuX- oder NiX-Legierung besteht, wobei die Komponente X der AgX-, CuX-, oder NiX-Legierung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus B, Mg, Al, Si, Ca, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ag, In, Sn, Sb, Ba, Hf, Ta, W, Au, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sm, Er, Tb, Eu, Ho, Tm, Yb und Lu und wobei die Schmelztemperatur der AgX-, CuX- oder NiX-Legierung größer ist als die Schmelztemperatur des Basislots. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Ausbildung eines Schichtverbunds (10) sowie eine Schaltungsanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Schichtverbund (10).