Abstract:
Schichtverbund (10) umfassend mindestens ein elektronisches Substrat (11) und eine Schichtanordnung (20, 30) aus zumindest einer ersten Schicht (20) eines ersten Metalls und/oder einer ersten Metalllegierung und aus einer an diese erste Schicht (20) angrenzenden zweiten Schicht (30) eines zweiten Metalls und/oder einer zweiten Metalllegierung, wobei die Schmelztemperaturen der ersten und der zweiten Schicht unterschiedlich sind, und wobei nach einer Temperaturbehandlung der Schichtanordnung (20, 30) zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein Bereich mit mindestens einer intermetallischen Phase (40) ausgebildet ist, wobei die erste (20) oder die zweite Schicht (30) gebildet wird von einem Reaktionslot, welches aus einer Mischung eines Basislots mit einer AgX-, CuX- oder NiX-Legierung besteht, wobei die Komponente X der AgX-, CuX-, oder NiX-Legierung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus B, Mg, Al, Si, Ca, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Y, Zr, Nb, Mo, Ag, In, Sn, Sb, Ba, Hf, Ta, W, Au, Bi, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sm, Er, Tb, Eu, Ho, Tm, Yb und Lu und wobei die Schmelztemperatur der AgX-, CuX- oder NiX-Legierung größer ist als die Schmelztemperatur des Basislots. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Ausbildung eines Schichtverbunds (10) sowie eine Schaltungsanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Schichtverbund (10).
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Schichtverbund (10), insbesondere zum Verbinden von elektronischen Bauteilen als Fügepartner, umfassend mindestens eine Trägerfolie (11) und eine darauf aufgebrachte Schichtanordnung (12) umfassend mindestens eine auf die Trägerfolie (11) aufgebrachte, sinterbare Schicht (13) enthaltend mindestens ein Metallpulver und eine auf die sinterbare Schicht (13) aufgebrachte Lotschicht (14). Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Ausbildung eines Schichtverbunds, eine Schaltungsanordnung enthaltend einen erfindungsgemäßen Schichtverbund (10) sowie die Verwendung eines Schichtverbunds (10) in einem Fügeverfahren für elektronische Bauteile.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine elektrische Verbindung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung von mindestens zwei übereinander liegenden Einzelleitern (26, 27) mit einem Verbindungselement (32) im Bereich einer Fügestelle (30). Zur Herstellung dauerhafter elektrischer Verbindungen mit gleichzeitig hoher mechanischer Festigkeit durch möglichst auf die Verbindungsfläche begrenzter kurzzeitiger Wärmeeinwirkung wird vorgeschlagen, an der Fügestelle (30a) zwischen den miteinander zu verbindenden Einzelleitern (26, 27) eine Nanofoil (31) einzusetzen, wobei die Einzelleiter (26, 27) zum Einklemmen der Nanofoil (31) von Druckstempeln (34) aufeinander gedrückt werden, dass sodann das Verbindungselement (32a) durch die Einzelleiter (26, 27) und die Nanofoil (31) gedrückt und die Nanofoil (31) gezündet wird, so dass dadurch die Einzelleiter (26, 27) miteinander verschweißt beziehungsweise verlötet werden.
Abstract:
The invention relates to a layered composite (10), in particular for connecting electronic components as joining partners, comprising at least one substrate film (11) and a layer assembly (12) applied to the substrate film. The layer assembly comprises at least one sinterable layer (13), which is applied to the substrate film (11) and which contains at least one metal powder, and a solder layer (14) applied to the sinterable layer (13). The invention further relates to a method for forming a layered composite, to a circuit assembly containing a layered composite (10) according to the invention, and to the use of a layered composite (10) in a joining method for electronic components.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil (1 ), umfassend einen ersten Fügepartner (2) und mindestens einen zweiten Fügepartner (3). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass zwischen dem ersten und dem zweiten Fügepartner (2, 3) ein offen poröses Sinterformteil (6, 7) aufgenommen ist, welches fest mit dem ersten und dem zweiten Fügepartner (2, 3) verbunden ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Bauelement struktur, umfassend: ein elektrisches oder elektronisches Bauelement (10) mit einer oberen Kontaktfläche (12) auf einer Oberseite des Bauelements und einer unteren Kontaktfläche (14) auf einer gegenüberliegenden Unterseite des Bauelements; einer oberen Metallschicht (40) und einer unteren Metallschicht; (42) und einer oberen porösen Zwischenschicht (20) und einer unteren porösen Zwischenschicht. (22) Die obere Zwischenschicht verbindet die obere Metallschicht mit der oberen Kontaktfläche mechanisch und elektrisch leitend und die untere Zwischenschicht verbindet die untere Metallschicht mit der unteren Kontaktfläche mechanisch und elektrisch leitend.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Sinterverbindung, einen Ausgangswerkstoff derselben und ein Verfahren zu deren Herstellung, weiterhin eine die Sinterverbindung enthaltende elektronische Schaltung, wobei der Ausgangswerkstoff sinterbare Partikel (102) aus mindestens einem Metall oder mindestens einer Metallverbindung und mindestens ein Flussmittel (103) umfasst. Erfindungsgemäß ist das Flussmittel (103) ein Reduktionsmittel und zugleich das Lösungsmittel des Ausgangswerkstoffs (100).
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Draht-, Bändchen- und/oder Chipboden eines Halbleiterbauelements mit den elektrischen Anschlüssen seines Gehäuses oder Schaltungsträgers, wobei eine elektrische Kontaktierung über wenigstens eine am Halbleiterbauelement vorhandene Kupferoberfläche erfolgt. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass vor dem Bonden die Kupferoberfläche (12, 12') mit einer selbstorganisierenden Monoschicht (20, 20') aus einer organischen Verbindung bedeckt wird.
Abstract:
The invention relates to an electric connection and to a method for producing an electric connection of at least two individual conductors (26, 27) lying on top of each other using a connecting element (32) inthe region of a joining site (30). In order to establish permanentelectric connections having at the same time high mechanical strength bymeans of brief heat influence limited to the connecting surface to the extent possible, a nanofoil (31) is inserted at the joining site (30a) between the individualconductors (26, 27) to be connected to each other, wherein the individual conductors(26, 27) are pressed together by pressure stamps (34) to clamp thenano foil (31) in such a way that the connecting element (32a) ispressed through the individual conductors (26, 27) and the nano foil(31), and the nano foil (31) is ignited, so that the individual conductors(26, 27) are welded or soldered together.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Sinterwerkstoff mit metallischen, mit einer organischen Beschichtung versehenen Strukturpartikeln. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass nicht-organisch beschichtete, metallische und/oder keramische, beim Sinterprozess nicht ausgasende Hilfspartikel (7) vorgesehen sind. Ferner betrifft die Erfindung eine Sinterverbindung (1) sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Sinterverbindung (1).