Invention Application
- Patent Title: 半導体装置及びその製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and method for manufacturing same
- Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
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Application No.: PCT/JP2013/000036Application Date: 2013-01-10
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Publication No.: WO2013121691A1Publication Date: 2013-08-22
- Inventor: 小島 俊之 , 白石 司 , 塚原 法人 , 廣瀬 貴之 , 生田 敬子 , 小山 雅義
- Applicant: パナソニック株式会社
- Applicant Address: 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- Assignee: パナソニック株式会社
- Current Assignee: パナソニック株式会社
- Current Assignee Address: 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- Agency: 特許業務法人森本国際特許事務所
- Priority: JP2012-029005 20120214
- Main IPC: H01L23/40
- IPC: H01L23/40 ; H01L21/52 ; H01L23/48 ; H01L25/07 ; H01L25/18
Abstract:
半導体装置(1)が、第1の主面とその第1の主面とは反対側の第2の主面を持つ半導体チップ(2)を備えるとともに、前記第1の主面に対向配置された放熱板(3)と、前記第1の主面と前記放熱板(3)との間に配置されて、前記半導体チップ(2)に電気的に接続する第1電極(5)と、前記第2の主面に対向配置された圧接部材(4)と、前記第2の主面と前記圧接部材(4)との間に配置されて、前記半導体チップ(2)に電気的に接続する第2電極(6)と、前記放熱板(3)と前記半導体チップ(2)のそれぞれに前記第1電極(5)を圧接させ、かつ前記圧接部材(4)と前記半導体チップ(2)のそれぞれに前記第2電極(6)を圧接させる圧力を発生させる圧力発生機構と、を備える。
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