一种半导体结构，包括，半导体基体（120），所述半导体基体（120）位于绝缘层（110）上，且所述绝缘层（110）位于半导体衬底（100）上；源漏区（140），其接于所述半导体基体（120）的两个相对的第一侧面（126）；栅极（160），其位于所述半导体基体（120）的两个相对的第二侧面上（128）；绝缘塞（124），位于所述绝缘层（110）上并嵌于所述半导体基体（120）中；外延层（180），夹于所述绝缘塞（124）和所述半导体基体（120）之间。一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底（100）上形成绝缘层（110）；在绝缘层（110）上形成半导体基体（120）；在所述半导体基体（120）内形成空腔，所述空腔暴露所述半导体衬底（100）；在所述空腔中选择性外延形成外延层（180）；在所述空腔中形成绝缘塞（124）。通过形成超陡的倒掺杂阱，利于减小短沟道效应。