公开(公告)号：WO2013159416A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/CN2012/075913

申请日：2012-05-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

Inventor： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/84 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78648

Abstract: 提供一种半导体结构的制造方法及一种半导体结构。该方法包括以下步骤：提供衬底（100），所述衬底（100）从下至上依次包括基底层（101）、掩埋隔离层（102）、掩埋地层（103）、超薄绝缘埋层（104）、表面有源层（105）；对所述掩埋地层（103）进行离子注入掺杂；在所述衬底（100）上形成栅极堆叠、侧墙（230）、源区（320）和漏区（310）；在所述衬底（100）上形成覆盖所述栅极堆叠、源区（320）和漏区（310）的掩膜层（400），刻蚀所述掩膜层（400）以暴露出所述源区（320）；刻蚀所述源区（320）以及源区（320）之下的超薄绝缘埋层（104），形成暴露出所述掩埋地层（103）的开口（500）；通过外延填充所述开口（500），以形成所述掩埋地层（103）的接触塞（510）。本发明通过形成掩埋地层（103）接触塞（510），将掩埋地层（103）与源区（320）电学连接，增强了半导体器件对阈值电压的控制能力，减小了短沟道效应，提高了器件性能，同时不必对掩埋地层（103）做单独引出，节省了器件面积，简化了工艺。

公开(公告)号：WO2013120285A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/CN2012/071713

申请日：2012-02-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  朱正勇 ,  骆志炯

Inventor： 朱正勇 ,  骆志炯

IPC: H01L29/792 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/34 ,  H01L29/778

Abstract: 提供一种半导体存储器件及其访问方法，其中半导体存储器件包括氧化物异质结晶体管，所述氧化物异质结晶体管包括氧化物衬底；位于氧化物衬底上的氧化物薄膜，其中氧化物衬底和氧化物薄膜之间的界面层表现出二维电子气的特性；位于氧化物薄膜上并且与界面层电连接的源电极和漏电极；位于氧化物薄膜上的前栅；以及位于氧化物衬底下表面上的背栅，其中，氧化物异质结晶体管的源电极和漏电极分别与用于执行读取操作的第一字线和第一位线相连接，前栅和背栅分别与用于执行写入操作的第二字线和第二位线相连接。该半导体存储器件是1T配置的存储器件，其结构简单，并且提高了集成度。

公开(公告)号：WO2013040845A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/CN2012/000649

申请日：2012-05-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

Inventor： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的制作方法，该方法的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体基体；在所述半导体基体的侧壁上形成绝缘膜；去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体，形成第一半导体鳍片和笫二半导体鳍片。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜，而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁，使得后续工艺中对该相互对应的侧壁进行常规操作变得易于操作。

公开(公告)号：WO2013006990A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/CN2011/001291

申请日：2011-08-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

Inventor： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 提供一种隔离结构以及半导体结构的形成方法。隔离结构的形成方法包括以下步骤：提供（110）晶面或（112）晶面的硅衬底（1000）并确定该所述硅衬底（1000）的[111]方向；通过湿法腐蚀所述硅衬底（1000）在所述硅衬底（1000）中形成第一沟槽（1006），所述第一沟槽（1006）的延伸方向与[111]方向基本上垂直；利用第一绝缘材料（1008）填充所述第一沟槽（1006）以形成第一隔离结构；通过干法刻蚀所述硅衬底（1000）在所述硅衬底（1000）中形成第二沟槽（1014），所述第二沟槽（1014）的延伸方向与所述第一沟槽（1006）的方向垂直；利用第二绝缘材料（1016）填充所述第二沟槽（1014）以形成第二隔离结构；第一隔离结构与第二隔离结构相接。

公开(公告)号：WO2013004031A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：PCT/CN2011/077858

申请日：2011-08-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  朱慧珑 ,  梁擎擎 ,  骆志炯 ,  尹海洲

Inventor： 朱慧珑 ,  梁擎擎 ,  骆志炯 ,  尹海洲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2652 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78648

Abstract: 本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半导体层中形成的源/漏区；第二半导体层上的栅极；以及源/漏区、栅极和背栅的电连接，其中，背栅包括位于源/漏区下方的第一导电类型的第一背栅区和位于沟道区下方的第二导电类型的第二背栅区，第一背栅区与第二背栅区彼此邻接，第一导电类型与第二导电类型相反，背栅的电连接包括与第一背栅区之一接触的导电通道。该MOSFET利用PNP结或NPN结形式的背栅灵活地调节任意导电类型的MOSFET的阈值电压，并且减小了源/漏区之间经由背栅的漏电流。

公开(公告)号：WO2013000196A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/CN2011/078877

申请日：2011-08-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 ,  尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

Inventor： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7839

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层，以形成暴露所述BOX层的沟槽，该沟槽部分进入所述BOX层；在所述沟槽的侧壁形成侧墙；在所述沟槽内形成覆盖所述侧墙的金属层，该金属层与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触。相应地，本发明还提供一种使用上述方法形成的半导体结构。本发明提供的制造方法和半导体结构使得半导体器件在工作时金属层与SOI衬底的体硅层之间的电容减小，有利于提升半导体器件的性能。

公开(公告)号：WO2012139261A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/CN2011/001314

申请日：2011-08-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

Inventor： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78

公开(公告)号：WO2012119341A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/CN2011/073308

申请日：2011-04-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  钟汇才 ,  骆志炯 ,  梁擎擎

Inventor： 钟汇才 ,  骆志炯 ,  梁擎擎

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/6653

公开(公告)号：WO2012071813A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/CN2011/071350

申请日：2011-02-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  尹海洲 ,  罗军 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

Inventor： 尹海洲 ,  罗军 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/49 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：WO2012071763A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/CN2011/000309

申请日：2011-02-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  钟汇才 ,  梁擎擎 ,  尹海洲 ,  骆志炯

Inventor： 钟汇才 ,  梁擎擎 ,  尹海洲 ,  骆志炯

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76283