ゲート電極（１８０）の側面から半導体基板（１１０）におけるゲート電極の側方の領域に形成された第１のサイドウォール（２１０）と、その上に形成され、高さ及び幅が第１のサイドウォールよりも小さい第２のサイドウォール（２２０）と、その外側に第２のサイドウォールを覆うように形成された外側サイドウォール（２３０）と、外側サイドウォールの側方の領域に形成されたソースドレイン領域（２５０）とを備えている。第２のサイドウォールは、注入される衝突イオンで欠陥準位を生じる原子を組成に含み、第１のサイドウォール及び第３のサイドウォールは、欠陥準位を生じる原子を組成に含まない。