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Invention Application
WO2014050979A1 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 审中-公开
用于生产半导体器件的方法，衬底处理器件和记录介质

  • Patent Title: 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
  • Patent Title (English): Method for producing semiconductor device, substrate processing device, and recording medium
  • Patent Title (中): 用于生产半导体器件的方法，衬底处理器件和记录介质
  • Application No.: PCT/JP2013/076092
    Application Date: 2013-09-26
  • Publication No.: WO2014050979A1
    Publication Date: 2014-04-03
  • Inventor: 中山　雅則
  • Applicant: 株式会社日立国際電気
  • Applicant Address: 〒1018980 東京都千代田区外神田4-14-1 Tokyo JP
  • Assignee: 株式会社日立国際電気
  • Current Assignee: 株式会社日立国際電気
  • Current Assignee Address: 〒1018980 東京都千代田区外神田４－１４－１ Tokyo JP
  • Priority: JP2012-212131 20120926
  • Main IPC: H01L21/31
  • IPC: H01L21/31 ;  C23C16/44 ;  C23C16/50 ;  H05H1/46
半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
Abstract:
　要約　課題　処理室内で発生する汚染物質により製品用基板が汚染されることを抑制する。　解決手段　処理室内の第１プラズマ生成領域にプラズマを発生させて基板を処理する本処理工程と、前記処理室内の前記第１プラズマ生成領域と、該第１プラズマ生成領域とは異なる第２プラズマ領域にプラズマを発生させて前記処理室内の金属成分を除去する除去工程と、を有する。
Abstract(Chinese):

摘要[问题]抑制用作由处理室内产生的污染物引起的产品的基板的污染。 [解决方案]具有用于通过在处理室内的第一等离子体产生区域中产生等离子体来处理衬底的主要处理步骤，以及用于通过在第二等离子体区域中产生等离子体来除去处理室内部的金属组分的去除步骤 从第一等离子体产生区域。

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