Invention Application
- Patent Title: 撮像装置の製造方法および撮像装置
- Patent Title (English): Method for manufacturing imaging device, and imaging device
- Patent Title (中): 用于制造成像装置的方法和成像装置
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Application No.: PCT/JP2012/077855Application Date: 2012-10-29
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Publication No.: WO2014068634A1Publication Date: 2014-05-08
- Inventor: 神野 健 , 冨松 孝宏
- Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Applicant Address: 〒2118668 神奈川県川崎市中原区下沼部1753番地 Kanagawa JP
- Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Current Assignee: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- Current Assignee Address: 〒2118668 神奈川県川崎市中原区下沼部１７５３番地 Kanagawa JP
- Agency: 特許業務法人深見特許事務所
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146 ; H04N5/374
Abstract:
フォトダイオード（ＰＤ）が配置されている領域を覆う態様で、ゲート電極（ＮＬＧＥ、ＰＬＧＥ）の側壁面にオフセットスペーサ膜（ＯＳＳ）が形成される。次に、オフセットスペーサ膜等を注入マスクとして、エクステンション領域（ＬＮＬＤ、ＬＰＬＤ）が形成される。次に、フォトダイオードが配置されている領域を覆うオフセットスペーサ膜を除去する処理が施される。次に、ゲート電極の側壁面にサイドウォール絶縁膜（ＳＷＩ）が形成される。次に、サイドウォール絶縁膜等を注入マスクとしてソース・ドレイン領域（ＨＰＤＦ、ＬＰＤＦ、ＨＮＤＦ、ＬＮＤＦ）が形成される。
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IPC分类:
