公开了一种阻变存储器及其制备方法。阻变存储器包括：底电极（11）、阻变层（12）、顶电极（14），阻变层（12）位于底电极（11）之上；顶电极（14）位于阻变层（12）之上；底电极（11）之上设置有导电突起（13），导电突起（13）嵌在阻变层（12）内，且导电突起（13）顶部宽度小于底部宽度。还公开了一种阻变存储器的制备方法。这里所提供的阻变存储器及其制备方法，通过在底电极上设置导电突起，可以产生"避雷针"效应，使得阻变层中电场集中分布在导电突起的附近，极大的增加了导电细丝在导电突起处生成的概率，使导电细丝的生成不再是随机的，确保了阻变存储器中各个参数的稳定性，从而大大提高了阻变存储器工作的可靠性和稳定性。